隨著 AI 應用需求急速攀升，全球記憶體半導體市場面臨前所未有的供應緊張，SK 海力士會長崔泰源日前在論壇表示，目前積極調整利川 M15 及 M16 晶圓廠產線，預計 2026 年標準型 DRAM 產能較今年增加超過 10%，而市場預估原訂 2026 年推出次世代 HBM4 新品將受短缺影響時程。
韓國半導體巨頭 SK 海力士坐落於利川市，目前在 AI 專用的高頻寬記憶體（HBM）市場中占有主導地位，市占率達 70~80%，並與輝達（NVIDIA）等領導廠商合作緊密，最近因為記憶體短缺議題，備受全球 AI 供應鏈與投資人關注。
崔泰源日前參與論壇表示，市場對記憶體需求急劇增長，尤其是高效能 AI 專用記憶體，因此 SK 海力士積極調整利川 M15 及 M16 晶圓廠產線，預計 2026 年標準型 DRAM 產能較今年增加超過 10%，更已在 2022 至 2027 年間投入逾 106 兆韓圜資金擴產。
針對 SK 海力士原本計劃 2026 年推出次世代 HBM4 產品，以支撐 AI 晶片日益增長的記憶體需求，但因為記憶體市況面臨 30 年來最大的缺貨潮，業界估計記憶體短缺議題恐影響 SK 海力士 2026 年新品推出的時程。
受到 AI 應用需求強勁，重點產能偏向利基的 HBM 生產，導致標準型 DRAM 供應短缺現象顯著，而記憶體價格逐步攀升，已對智慧手機、家電等消費電子產品生產帶來成本壓力，未來或將影響消費端，分析師預估 2025 年底伺服器用 DRAM 營業利益率將突破 70%，明年價格仍將持續強勢。
此外，三星也在積極擴增 DRAM 產能，雙雄競爭激烈，2025 年第一季SK海力士已首度超越三星掌握全球最大 DRAM 市占，預計 2026 年全球 DRAM 供應量將迎來雙位數成長，業界看好未來產能釋出可緩解短缺，但供應壓力短期難以消退。
（首圖來源：shutterstock）
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