韓國媒體報導，在這波記憶體市場的景氣榮景中，三星電子與SK海力士在投資策略上出現了顯著差異。其中，SK海力士以HBM為中心的戰略，但在當前標準型DRAM獲利能力更佳的情況下，是否能在中長期獲利能力方面取得最佳成果，正受到市場的考驗。
根據朝鮮日報的報導，標準型DRAM的市場存在感及其對獲利性的貢獻正在顯著提升。根據市場研究機構 TrendForce 的資料顯示，近期DDR5 16Gb的價格已上漲至10美元區間中段，伺服器用DDR5模組的價格也隨之攀升。對此，市場分析指出，若標準型DRAM每GB價格能上漲至12至13美元水準，將使它與HBM4預估單價在每GB約15美元上下之間的差距大幅縮小。
從獲利角度來看，標準型DRAM的重要性日益增加。外資瑞銀近期發布報告預測，鑑於HBM製造成本偏高，在2025年至2026年間，標準型DRAM的銷售毛利率可能暫時超越HBM。這項分析認為，由於產能被集中用於HBM的擴建，傳統DRAM的供應出現短缺，導致DDR系列產品的價格協商能力因而增強。
報導指出，韓國市場也抱持類似的觀點。因為標準型DRAM價格的上漲，極可能使2026年DDR5的獲利超越HBM3E，造成獲利結構的逆轉。尤其，在伺服器需求保持穩健之際，用於智慧型手機、筆記型電腦和汽車等領域的通用記憶體短缺現象正在加劇，因此標準型DRAM將成為決定2026年半導體企業業績表現的關鍵因素。甚至有分析提出，部分標準型DRAM產品的營業利益率可能達到70%左右的高水準。
而儘管HBM價格高昂，但有觀點指出其仍面臨結構性的獲利能力限制。這是因為HBM的基礎晶片（base die）需應用晶圓代工（foundry）製程，並經過高難度的堆疊與封裝工序，帶來較高的原物料成本負擔和良率風險。與此形成對比的是，標準型DRAM的製程穩定性較高，價格上漲能直接且有效地反映為獲利。
在策略佈局方面，三星電子採取了產品組合策略，在投資HBM4的同時，靈活地將產能分配給GDDR7、LPDDR5X等標準及行動DRAM產品。市場評估認為，儘管HBM是具有重大戰略意義的產品，但記憶體企業的中短期業績最終仍將取決於標準型DRAM與HBM之間的產品組合配置。
相較之下，SK海力士的策略重點則更為明確，堅持將新產能投資的核心置於HBM之上。根據外電與業界資料，儘管SK海力士內部曾評估標準型DRAM供應短缺局面可能會持續至2028年，但公司已確立將未來引進的EUV設備產能，將優先分配給HBM及高階封裝製程的基本方針，這代表被視為SK海力士重視在AI記憶體領域的技術領先地位，以及鎖定戰略客戶效應的選擇。
報導強調，獲利結構的潛在變化情況下，已經被反映在主要半導體企業的業績預測中。市場普遍認為，在價格上漲的趨勢下，標稕型DRAM營收比重相對較高的三星電子，將能夠獲得更大的實質業績槓桿效果。例如，市場預估三星電子2026年的營業利益約為82兆韓圜，SK海力士約為74兆韓圜。甚至部分市場分析師更將三星電子的營業利益上限預估上調至約100兆韓圜，SK海力士則上調至約90兆韓圜的水準。
半導體相關人士指出，雖然HBM是確保AI時代技術領導地位的必備產品，但企業的短期及中期業績表現，仍會受到標準型DRAM與NAND價格的顯著影響。因此，SK海力士專注於HBM的核心戰略，其能否在未來有效地轉化為實際的獲利，將成為市場評估的關鍵。整體而言，記憶體企業的中短期實績表現，最終將由HBM與標準型DRAM之間的產品組合策略來決定。
(首圖來源：Pixabay)
科技新報粉絲團
加入好友
訂閱免費電子報
