記憶體需求激增，三星與 SK 海力士毛利率將首次超越台積電

隨著人工智慧需求快速攀升，記憶體價格大幅上漲，半導體產業的獲利結構正出現變化。根據《韓國經濟新聞》報導，三星電子的記憶體部門，以及 SK 海力士，預期在 2025 年第四季的毛利率將超越台積電，這將是自 2018 年第四季以來，記憶體產業的利潤表現首次超過晶圓代工廠。

報導指出，三星電子與 SK 海力士的毛利率，預估將落在 63% 到 67% 之間，高於台積電預期的 60%。此外，全球第三大記憶體製造商美光，在 2026 會計年度第一季（9 月到 11 月）的毛利率已達 56%，並預期在第二季（12 月到次年 2 月）將進一步升至 67%，顯示美光也有機會在 2026 年第一季於獲利表現上超越台積電。

報導強調，價格快速上揚是推動記憶體市場擴張的主要動能。目前三大記憶體製造商，已將約 18% 到 28% 的 DRAM 產能配置於高頻寬記憶體（HBM）。HBM 透過堆疊 8 到 16 顆 DRAM 晶片，有效壓縮通用記憶體供應量，使得標準 DRAM 價格出現單季漲幅超過 30% 的情況。

隨著記憶體毛利率即將超越晶圓代工廠，報導指出，這項轉變與 AI 產業需求結構改變密切相關。當 AI 應用逐步從「訓練」轉向「推理」，對於高速資料儲存與即時存取的需求大幅提升，必須仰賴 HBM 等記憶體，將資料持續供應給 GPU 進行運算。

即便通用記憶體的效能不及 HBM，市場對高效能通用記憶體的需求仍快速成長。在推理初期階段，工作負載多由 GDDR7、LPDDR5X 等通用 DRAM 處理，而 HBM 則主要保留給更密集的推理任務。NVIDIA 在以推理為主的 AI 加速器中採用 GDDR7，便是一項代表性案例。

記憶體業者也計劃透過開發 AI 導向的高效能產品，延續「記憶體為核心」的產業趨勢。舉例來說，記憶體內運算（Processing-In-Memory，PIM）技術，讓記憶體可承擔部分原本由 GPU 執行的運算工作。報導也指出，垂直通道電晶體（VCT）DRAM 與 3D DRAM 等新技術，透過在更小面積中儲存更多資料來提升密度，預期將陸續導入市場。