傳新加坡新廠發展矽光子預計 2027 年量產,力拱聯電 ADR 大漲近 16%

作者 | 發布日期 2026 年 01 月 21 日 8:40 | 分類 半導體 , 國際觀察 , 封裝測試 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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傳新加坡新廠發展矽光子預計 2027 年量產,力拱聯電 ADR 大漲近 16%

就在市場傳出晶圓代工大廠聯電正積極執行成熟製程升級計畫,正式卡位共同封裝光學(Co-Packaged Optics,CPO)世代,目標將於 2027 年實現量產的消息之後,市場投資人似乎對此感到期待,使得 21 日清晨,聯電在美股 ADR 大廠將近16%。

聯電近年來致力於提升成熟製程的附加價值,將22/28奈米製程導向更具競爭力的特殊製程應用。市場消息表示,聯電新加坡Fab 12i P3新廠在此戰略中扮演關鍵角色。該廠不僅以22/28奈米製程做為營運主軸,服務通訊、車用、物聯網與AI等應用市場,更進一步強化在CPO應用的布局。

據了解,該廠的22奈米產線已具備銜接矽光子產品的成熟製程基礎。針對外界關注的布局進度,聯電官方回應證實,在特殊製程的推進上,矽光子確實是公司積極投入的重點技術之一。市場消息進一步指出,目前該廠內部已同步規劃光電整合相關模組,預計於2026年啟動風險試產(Risk Production),並全力朝向2027年量產的目標推進。

事實上,為了加速技術落地,聯電採取了強強聯手的策略。聯電日前正式宣布,與全球領先的半導體技術創新研發中心-比利時微電子研究中心(imec)簽署技術授權協議。透過這項合作,聯電引進了imec經過驗證的「iSiPP300」矽光子製程平台。

至於,聯電之所以大力投入此領域,主因是傳統電子訊號傳輸面臨物理極限。業界分析指出,隨著AI數據負載日益增加,傳統的銅導線互連(Copper Interconnect)在頻寬與能耗上已面臨瓶頸。這使得CPO技術將光學引擎與運算晶片進行「共同封裝」,大幅縮短了電子訊號的傳輸距離。相較於傳統的可插拔光模組,CPO具備降低功耗與延遲,以減少對高功耗數位訊號處理器(DSP)與長距離銅線的依賴。以及提升頻寬密度,顯著提升數據傳輸效率,滿足資料中心對超高頻寬需求的優勢。

(首圖來源:聯電提供)

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