提前啟動 P3 廠製程升級計畫,力積電準備搶食 DRAM 供不應求商機

作者 | 發布日期 2026 年 01 月 22 日 6:00 | 分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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提前啟動 P3 廠製程升級計畫,力積電準備搶食 DRAM 供不應求商機

力積電表示,鑒於記憶體景氣快速翻升,在繼與美光簽訂合作意向書後,力積電隨即展開 DRAM 製程精進計畫,以回應下游記憶體 IC 設計客戶發展容量更高、速度更快 DRAM 的強勁需求,爭取缺貨價揚商機。

據了解,目前力積電新竹 12 吋晶圓廠區擁有每月 5 萬片的記憶體產能,主要以 2x 奈米製程為客戶提供 DRAM、Flash 代工服務。而由於全球 DRAM 市場因 AI 應用爆發而呈現長期供不應求趨勢,該公司近月以來感受到客戶端的強大需求壓力,因此決定啟動提升記憶體製程的新投資計畫。

力積電指出,為爭取時效,該公司董事會已於日前針對投資新設備提升 DRAM 製程的規畫通過增資案,配合銅鑼廠售予美光、雙方策略合作的合約在第二季簽訂,待力積電 2026 年度股東常會通過後,將根據經營團隊的規劃儘速展開設備採購作業,將該公司 P3 廠現有月產逾 3 萬片的 DRAM 生產線升級。

力積電透露,根據雙方已簽署的意向書,該公司除將長期提供美光 DRAM 後段先進封裝代工服務之外,美光也將協助力積電 P3 廠的 DRAM 製程精進,這項技術提升計畫的快速執行,將能讓力積電的 DRAM 代工製程穩健推進,除將協助國內、外記憶體設計業者發展容量更高、速度更快的高規格產品,同時也將使該公司的 WOW (晶圓堆疊) 的代工服務更具競爭力,滿足大型終端客戶在 AI 應用的需求。

(首圖來源:官網)

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