搶在美光前！東芝、海力士合作於 2016 年量產 MRAM

日經新聞 2014 年 1 月 1 日報導，東芝（Toshiba）將攜手南韓海力士（SK Hynix）於2016年度量產可大幅提高智慧型手機性能的次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM）」，量產時間將比美國美光科技（Micron Technology）所計畫的 2018 年提前了約2年時間。

報導指出，東芝和 Hynix 於 2011 年開始共同研發 MRAM，並計畫於 2014 年度內進行試作品的出貨。據報導，東芝/Hynix 將利用位於首爾郊外的 Hynix 主力工廠生產 MRAM 試作品、最快並計畫於 2016 年度進行量產，且若後續 MRAM 呈現普及，雙方也計畫設立合資公司、並計畫在南韓投資 1,000 億日圓興建專用產線。

目前 MRAM 的研發可分為三大陣營，除了上述的東芝/Hynix 之外，三星電子（Samsung Electronics）也正進行研發，而美光則和東京威力科創（Tokyo Electron）等 20 家以上日美半導體相關企業進行合作，希望於 2016 年度確立 MRAM 的量產技術、之後並計劃於 2018 年透過美光子公司爾必達（Elpida）的廣島工廠進行量產。

MRAM 為一種低耗電力且寫入速度極快的非揮發性記憶體，且即便切斷電源資料也不會消失；和現行主流記憶體「DRAM」相比，MRAM 的記憶容量及寫入速度可大幅提高至 10 倍，且搭載 MRAM 的電子產品的耗電力可縮減至三分之二，即在充飽一次電的情況下，可將智慧型手機的使用時間自現行的數十小時大幅延長至數百小時。

據日經指出，東北大學預估，2020 年 MRAM 全球需求可望達 7 兆日圓，且隨著記憶體需求持續自 DRAM 轉移至 MRAM，預估包含智慧型手機等電子機器、製造設備及材料等相關領域計算，整體 MRAM 相關經濟效應將達 100 兆日圓。