第一季全球 DRAM 產值逼近百億美元規模,各廠獲利創近三年新高

作者 | 發布日期 2014 年 05 月 12 日 17:12 | 分類 手機 , 晶片 , 財經 line share follow us in feedly line share
第一季全球 DRAM 產值逼近百億美元規模,各廠獲利創近三年新高


DRAM 產業進入寡占結構後,市場從去年開始進入全面獲利的狀況。市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 表示,2014 年第一季 DRAM 產值再度攀升至 99.4 億美元,較上季成長 2%,逼近百億美元規模。三大 DRAM 廠中 SK 海力士自無錫廠火災後浴火重生,營業利益從 29% 躍升至 36%,表現最為亮眼,而其他廠商也都有不錯的表現,堪稱 DRAM 產業狀況極佳的一年,預估 2014 年 DRAM 產值可望來到 455 億美元,較 2013 年成長 30%。


DRAM 廠商分析

三星:算是最早進入 25nm 製程的 DRAM 廠商,現階段良率已進入成熟階段,今年上半年產 出可望突破 50%;下一代 23nm 甚至 21nm 製程接近開發完成,有機會於下半年開始導入量產規模。受到均價下降影響,營收較上 季衰退 7%,但由於成本結構領先同業,第一季的三星半導體營業利益仍成長至 21%。

SK 海力士:由於今年第一季無錫廠已完全恢復商轉,新購機台亦順勢從 38nm 提升至 29nm 製程,加上第四季因火災導致基期較低的關係,第一季營收大幅成長近 21%,營業利益來到 28%。而近期正式投片量產 25nm 製程,下半年將逐步提昇產出量。

美光:仍以穩健的經營方式固守 DRAM 市場,營收雖維持持平,但因產品比重調整關係,獲利 依然成長當中,營業利益約在 21%,現階段技術方面仍以 30nm 製程為主。原爾必達工廠將在下半年大幅轉進 25nm 製程,原採用 美光技術的工廠則在第四季直接導入 20nm 製程試產,量產時間點將落在明年上半年,產品規劃上將著重於行動式記憶體及伺服器用記 憶體等毛利較高的產品。

南科:轉型為生產利基型記憶體為主的 DRAM 廠後,仍有部份產能生產標準型記憶體,在第一 季獲利上有著不錯的表現,雖然營收下滑 8%,整體營業利益大幅攀升至 34%。

華邦:受惠於利基型記憶體與小容量行動式記憶體銷售暢旺,整體營收較上季成長6.2%,其 中行動式記憶體的成長約在 17%,利基型記憶體也有 6% 的成長。今年更將擴大資本支出,除了投片提升至 40K 外,46nm 製程的 轉進也是重點,生產成本降低讓營業利益成長至 25%。

力晶:在第一季 DRAM 營收較上季成長 42%,其主因來自於 P1+P2 廠日前移入一台浸潤 式機台,挪移部份產能生產標準型記憶體所致,未來將視市場狀況機動調整代工與標準型記憶體的生產比重。dram2014qi