南亞科林口廠區 6 日傳電力降壓，影響產能約 1K 至 2 K

根據平面媒體報導，國內半導體大廠南亞科的員工，於 7 日下午爆料指出，南亞科林口 3A-N 廠於 6 日下午驚傳發生電力壓降的情況，造成內部製程當機，以致北棟廠商全部撤離。而根據 《科技新報》 所掌握到的消息，這一次事件對南亞科產能影響約在 1K 到 2K 的晶圓數量，相較於上星期華亞科化學氣已外洩所造成的損害來說，算是比較輕微。

根據平面媒體報導指出，6 日南亞科林口 3A-N 廠所發生的電力降壓情況，原因是台電的電力設備，因為雷擊而造成瞬間壓降的情況，以致南亞科林口 3A-N 廠電壓下降，造成內部製程當機。對此，南亞科也回應表示，該事件在經過緊急處理與重新設定之後，7 日絕大部分設備皆已恢復正常運作，並未造成重大影響。據了解，這次的事件對產能的影響僅在 1K 到 2K 的損失，以南亞科目前的產能來說，短時間很容易能補齊，相信對於目前市場上記憶體吃緊的情況，應該不會造成任何的影響。

近期，由於全球記憶體產能吃緊的狀況，使得記憶體產業一有相關風吹草動，就會引起市場價格上的波動。以上周台灣美光桃園廠區旗下 N2 晶圓廠，因供應氮氣的氮化純化廠遭汙染，導致逾百台機台全數遭到汙染，造成產線上數萬片 DRAM 晶圓必須報廢的事件為例，市場調查研究機構 TrendForce 旗下的記憶體儲存研究 （DRAMeXchange） 就表示，該事件就將影響全球 DRAM 產能 5.5%，並且造成價格進一步上漲的情況。

(首圖來源:南亞科提供)