根據南韓媒體《每日經濟》的報導指出，面對當前記憶體市場不論 DRAM，或是 NAND Flash 快閃記憶體供不應求的情況，南韓記憶體大廠 SK 海力士預計將在 2017 年下半年開始，提高 1x 奈米生產製程的 DRAM 生產比例。另外，還將持續增加 14 奈米製程的 NAND Flash 產量。目的在於以更具優勢的成本競爭力，達到獲利提升的目的。
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SK 海力士 2017 年將擴大投資，期望繼續掌握市場競爭優勢 |
作者
Atkinson |
發布日期
2017 年 07 月 25 日 11:45 |
分類
國際貿易
, 手機
, 會員專區
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根據南韓媒體《每日經濟》的報導指出，面對當前記憶體市場不論 DRAM，或是 NAND Flash 快閃記憶體供不應求的情況，南韓記憶體大廠 SK 海力士預計將在 2017 年下半年開始，提高 1x 奈米生產製程的 DRAM 生產比例。另外，還將持續增加 14 奈米製程的 NAND Flash 產量。目的在於以更具優勢的成本競爭力，達到獲利提升的目的。
