NAND 價格腰斬、中國將量產 DRAM,韓記憶體廠跳水重挫

作者 | 發布日期 2018 年 07 月 25 日 11:40 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


記憶體的超級多頭循環走了兩年,近來空方勢力再起,高呼好日子將盡,本週開始出爐的亞洲記憶體廠財報,將可印證空方說法是否屬實。

路透社 25 日報導,近來 NAND Flash 和 DRAM 雙雙出現警訊。以 NAND Flash 來說,3D NAND 組裝成本低於平面 NAND,今年生產大增、供過於求,迫使小型業者砍價保衛市占。和 2017 年高峰期相比,NAND Flash 均價將近對半砍,只剩全盛期的一半左右。

DRAMeXchange 主管 Alan Chen 表示,NAND 均價下滑之快,遠超過成本削減的速度,廠商毛利不斷惡化。他預測今年 NAND 價格將持續走低。野村也估計,今年 NAND 供給會成長 40~50%,需求則放緩,價格會下跌近 20%。

DRAM 方面,儘管今年 DRAM 價格上漲 20%,但是北京指控主要生產商操控價格,中國又全力扶植自家三大 DRAM 廠──長江存儲(Yangtze Memory Technology)、合肥長鑫(Innotron Memory)、福建晉華(Fujian Jinhua),中國廠即將進入量產階段,DRAM 恐會受壓。

HI Investment & Securities 分析師 Song Myung-sup 指出,明年上半為止,中國廠商 DRAM 產量仍少,但是隨著良率提高、產出拉升,估計明年下半會開始影響半導體市場。Gartner 首席分析師 Andrew Norwood 預測,2020、2021 年 DRAM 廠的營收將會驟降。

相關憂慮讓記憶體大廠受挫。台北時間 25 日早盤,SK 海力士下跌 1.67%、報 82,200 韓圜;23 日暴跌 7.05%。25日早盤,三星電子下跌 0.11%、報 46,100 韓圜;23 日挫跌 2%。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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