新能源車需求助攻,至 2025 年氮化鎵功率元件年 CAGR 達 78%

作者 | 發布日期 2021 年 09 月 03 日 14:29 | 分類 晶圓 , 晶片 , 材料、設備 Telegram share ! follow us in feedly


TrendForce 表示,2021 年各國 5G 通訊、 消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升,驅使基地台、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,第三代半導體氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)元件及模組需求強勁。氮化鎵功率元件成長幅度最高,預估今年營收將達 8,300 萬美元,年增率高達 73%。

據TrendForce研究,氮化鎵功率元件主要應用大宗為消費性產品,至2025年市場規模將達8.5億美元,年複合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%。據TrendForce調查,截至目前有10家手機OEM廠商陸續推出18款以上搭載快充的手機,且筆電廠商也有意跟進。

全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元,年複合成長率達38%,前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%,新能源車產業又以主驅逆變器、車載充電機(OBC)、直流變壓器(DC-DC)為應用大宗。

關鍵基板多數仍由歐美日IDM大廠掌握

TrendForce指出,因第三代半導體氮化鎵及碳化矽基板(Substrate)材料生長條件相對困難,現行主流尺寸大致落於6吋並往8吋邁進,驅使價格相較傳統8吋、12吋矽基板高5~20倍不等。由於多數材料集中美國科銳(Cree)及貳陸(II-VI)、日本羅姆(Rohm)及歐洲意法半導體(STMicroelectronics)等IDM大廠;部分中系業者如山東天岳(SICC)及天科合達(Tankeblue)等在中國十四五政策支撐下相繼投入,以加速國產化自給自足目標。

台灣第三代半導體發展進程方面,儘管歐、美、日等地發展較早且製作工藝較成熟,但TrendForce認為台灣相對處在有利位置。台灣本身具備長期矽(Si)開發經驗,並擁有完整上、下游供應鏈,加上近期在地化材料、設計與技術等政策牽引等優勢,驅動台灣目標成為半導體先進製造中心,使前段基板及磊晶產業鏈逐步成形,以及中後段晶片設計、製造及封測亦為主力項目。

目前漢民集團嘉晶(EPI)、漢磊科(EPISIL)與中美晶集團環球晶(GW)、宏捷科(AWSC)、兆遠(CWT)、朋程(ATC)等兩大聯盟,透過合作策略希冀在稀少基板區塊發揮最大整合效益;此外,廣運集團與太陽能廠太極(TAINERGY)共同投資的盛新材料(TAISIC),除了目前送樣驗證的4吋碳化矽基板,也積極投入6吋碳化矽基板研發。

(首圖來源:shutterstock)