新能源車需求助攻，至 2025 年氮化鎵功率元件年 CAGR 達 78%

TrendForce 表示，2021 年各國 5G 通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使基地台、能源轉換器（Converter）及充電樁等應用需求大增，第三代半導體氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）元件及模組需求強勁。氮化鎵功率元件成長幅度最高，預估今年營收將達 8,300 萬美元，年增率高達 73%。

據TrendForce研究，氮化鎵功率元件主要應用大宗為消費性產品，至2025年市場規模將達8.5億美元，年複合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%。據TrendForce調查，截至目前有10家手機OEM廠商陸續推出18款以上搭載快充的手機，且筆電廠商也有意跟進。

全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元，年複合成長率達38%，前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%，新能源車產業又以主驅逆變器、車載充電機（OBC）、直流變壓器（DC-DC）為應用大宗。

關鍵基板多數仍由歐美日IDM大廠掌握

TrendForce指出，因第三代半導體氮化鎵及碳化矽基板（Substrate）材料生長條件相對困難，現行主流尺寸大致落於6吋並往8吋邁進，驅使價格相較傳統8吋、12吋矽基板高5~20倍不等。由於多數材料集中美國科銳（Cree）及貳陸（II-VI）、日本羅姆（Rohm）及歐洲意法半導體（STMicroelectronics）等IDM大廠；部分中系業者如山東天岳（SICC）及天科合達（Tankeblue）等在中國十四五政策支撐下相繼投入，以加速國產化自給自足目標。

台灣第三代半導體發展進程方面，儘管歐、美、日等地發展較早且製作工藝較成熟，但TrendForce認為台灣相對處在有利位置。台灣本身具備長期矽（Si）開發經驗，並擁有完整上、下游供應鏈，加上近期在地化材料、設計與技術等政策牽引等優勢，驅動台灣目標成為半導體先進製造中心，使前段基板及磊晶產業鏈逐步成形，以及中後段晶片設計、製造及封測亦為主力項目。

目前漢民集團嘉晶（EPI）、漢磊科（EPISIL）與中美晶集團環球晶（GW）、宏捷科（AWSC）、兆遠（CWT）、朋程（ATC）等兩大聯盟，透過合作策略希冀在稀少基板區塊發揮最大整合效益；此外，廣運集團與太陽能廠太極（TAINERGY）共同投資的盛新材料（TAISIC），除了目前送樣驗證的4吋碳化矽基板，也積極投入6吋碳化矽基板研發。