美國新禁令對台灣記憶體產業衝擊小,黄崇仁:未來將有轉單效益

作者 | 發布日期 2022 年 10 月 24 日 7:49 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


美國 7 日宣布新一波對中國半導體產業禁令,記憶體產業部分對台系廠商的影響,市場人士表示就供給面說,衝擊非常小。需求面分析,中國廠商可能無法供應高階產品,訂單將流向其他國家廠商。不論直接或間接,台系廠商都有機會獲得轉單效益。而轉單效益何時發酵,要觀察市場狀況。

美國商務部新半導體限制措施,除了現有邏輯 IC 領域限制,更延伸至記憶體範疇;廣泛程度除了中資企業,外資於中國境內生產基地雖多半取得一年豁免期,但之後也需「逐案申請許可」方能取得製造設備。

市場研究及調查機構 TrendForce 資料顯示,新限制範疇主要是邏輯 IC(如 FinFET 或 GAAFET)16 / 14 奈米或更先進製程、DRAM 18 奈米或更先進製程、NAND Flash 晶片 128 層或更高層數產品三部分。記憶體部分,DRAM 限制在 18 奈米以下設備需商務部審查才能進口,大幅限制或延後中國 DRAM 進展。

中國長鑫存儲(CXMT)坐擁最大中系記憶體市占,第二季起致力 19 奈米跨入 17 奈米製程。雖然禁令發布前已加速購買未來所需機台,但數量仍不足。加上長鑫存儲仍持續興建新廠房,含合肥 Phase 2 及與晶圓代工廠中芯國際(SMIC)商談中的中芯京城 (SMBC),都面臨沒有設備難題。

受限制令影響的還有韓系 SK 海力士無錫 DRAM 生產基地 C2 廠,占全世界總 DRAM 產能約 13%,製程已進入 1Y 奈米及更先進製程。雖已取得一年豁免期,但一年後新增投產設備免不了要申請許可。地緣政治考量下,雖然市場需求低迷,嚴重供需失衡,DRAM 市場三大原廠仍規劃 10 年內母國增建產能,持續降低中國生產比重,禁令衝擊風險有機會逐步減少。

NAND Flash 部分,TrendForce 指出,進口中國 NAND Flash 生產設備將受更多限制。128 層以上設備要求事先核准才准進入,大幅衝擊長江存儲(YMTC)長期廠區升級計畫,以及三星西安廠、英特爾售予 SK 海力士後改名的 Solidigm 大連製程轉進規劃。

美國新禁令將限制長江存儲擴大客戶版圖,現階段長江存儲已積極送驗 SSD 產品,希望 2023 年打入非中國客戶供應鏈。隨著禁令影響顯現,美國政府對中國記憶體產業發展採取嚴格限制措施,將使非中國客戶對採用長江存儲意願大幅限縮。

市場人士關心的除了記憶體市場衝擊與價格變化,國內記憶體產業影響才是關鍵。黃崇仁在台灣半導體產業協會年會前接受媒體採訪時指出,台灣廠商角度來看,只要不受影響就 OK。台灣廠商最重要課題就是維持競爭力,但每家公司各有立場,自己思考該怎麼做即可。新禁令公布不久,各廠商也都在研究影響範圍與因應措施。

黃崇仁強調,這次美國禁令朝整個中國供應鏈打下去,受影響的不只中國。蘋果供應鏈包括中國、台灣、美國等,很難切割。雖然蘋果開始將供應鏈搬到其他地方,要像英特爾一刀切也不容易。台灣廠商也不能總是聽美國的,就什麼都不用賺了,預期台灣廠商會有轉單效應。

除了黃崇仁說法,記憶體市場人士也表示,台灣記憶體產業供給面,衝擊最大是中國長江存儲、長鑫存儲等廠商。雖然有模組業者從這兩家廠商叫貨,但多數業者都有多元供貨管道,幾乎不受影響。需求面來說,可從直接與間接兩方分析。

直接部分,中國記憶體廠將無法發展高層次技術,中國廠商需求可能會轉單到台灣廠商,直接受益。間接部分,需求仍在下,中國廠商無法取得高階技術,客戶也無法自中國取得產品,訂單轉到國外廠商,多出來訂單台廠也會受益。

(首圖來源:shutterstock)