在全球人工智慧 （AI） 競賽如火如荼展開、對高效能運算需求爆炸性增長的當下，掌握全球 NAND Flash（快閃記憶體） 市場超過 60% 市佔率的韓國兩大企業-三星電子 （Samsung Electronics） 與 SK 海力士 （SK Hynix），卻傳出將在 2026 年進一步縮減產量的消息。這一決策恐將導致伺服器、個人電腦 （PC） 及行動裝置等全領域面臨供應吃緊的局面，但也預告著記憶體大廠的獲利結構將迎接顯著改善。
根據朝鮮日報的報導，韓系大廠在 2026 年的生產策略採取了極為保守的基調。其中，三星電子已將 2026 年的 NAND Flash 晶圓預計產量下調至 468 萬片，較 2025 年的 490 萬片進一步縮減。這代表著，繼先前因應收益銳減而實施減產後，三星 2026 年的減產力道不僅沒有放緩，反而比 2025 年更加猛烈。同樣地，SK 海力士也採取了類似的步調，其 NAND Flash 產量預計將從 2025 年的 190 萬片，降至 170 萬片。
考量到 2026 年 AI 相關需求正在集中爆發，這兩大主要供應商的供給調節，極有可能加劇從 AI 伺服器到消費性電子產品的全方位供應短缺。而儘管供給端收縮，但需求端卻呈現指數級增長。花旗證券 （Citi Securities） 的分析報告揭示了驚人的需求前景，尤其輝達 （Nvidia） 預計於 2026 年下半年量產的次世代 AI 晶片 Vera Rubin，其所需的固態硬碟 （SSD） 容量高達 1152TB。這一規格是現有產品 Blackwell晶片的 10 倍以上，顯示出 AI 推論運算對儲存空間的渴望。
根據預測，Vera Rubin 在 2026 年的出貨量約為 3 萬台，2027 年將增至 10 萬台。這代表著，僅此單一產品線，在 2026 年就將創造 3,460 萬 TB 的新增需求，而到了 2027 年的數字更將暴增至 1 億 1,520 萬 TB。面對如此龐大的潛在需求，韓系大廠的減產決策顯得格外引人注目，也更具市場影響力。
市場分析施指出，三星與 SK 海力士之所以在需求看漲時選擇減產，主要基於三大核心考量：設備投資優先狀況、技術轉型的自然損耗，以及對抗中國低價競爭的市場區隔策略。
首先，從獲利指標來看，DRAM 目前的獲利遠高於 NAND Flash。因此，業界普遍認為，大廠在設備投資的優先順序上，自然更傾向於獲利能力更強的 DRAM，導致 NAND Flash 的產能擴充受到排擠。
其次，是技術轉型帶來的自然減產。隨著 AI 資料中心對大容量 SSD 的需求激增，記憶體原廠正積極將生產線從原本的 TLC 架構，轉換為更適合大容量儲存的 QLC 架構。在這一產線轉換過程中，設備的重新設定、穩定化所需的過渡期，以及初期良率的爬坡，都不可避免地導致了產量的自然損失。
第三，為了應對中國廠商的崛起。中國記憶體廠商長江存儲 （YMTC） 自 2025年起在 NAND Flash 市場嶄露頭角，產量持續攀升，並以低價攻勢搶佔市場。分析認為，韓系大廠的減產策略帶有明顯的針對性，也就是透過減少在行動裝置與 PC 等通用型 NAND Flash 等領域的供應量，來防禦中國業者的低價競爭。同時將資源集中，增加伺服器與企業用高階產品的比重，以優化產品組合並守住獲利底線。
報導表示(韓系大廠的惜售策略已立即反映在市場價格預測上，主要市場研究機構正密切關注這波由供給側主導的價格漲勢。市調機構 TrendForce 預測，2026年第一季 NAND Flash 的合約價格將較上一季大幅上漲 33% 至 38%，並特別點出三星與 SK 海力士保守的生產基調是主要推手。IDC 的數據也佐證了這一趨勢，預估 2026 年的 NAND Flash 供給成長率僅為 17%，低於近年來的平均水準。
對於三星電子與 SK 海力士的高層而言，目前並無理由冒險增產。NAND Flash 業務在經歷了長時間的獲利惡化後，目前正處於需要全力護盤價格的階段。利用此次記憶體市場的超級循環，將利益最大化是其首要目標。
報導特別引用一位半導體業界人士分析指出，無論三星與 SK 海力士的 NAND Flash 減產是主動的策略調整，還是產線轉換下的被動結果，2026 年都將是他們透過減產獲取最大利益的一年。這代表，在 AI 熱潮的推波助瀾下，記憶體大廠正透過精準的供給控制，準備迎接獲利能力的顯著修復，其對營業利益率的貢獻恐將不亞於 DRAM。
(首圖來源：三星官網)
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