三星積極擴充 3D NAND,股價連四日反彈

作者 | 發布日期 2015 年 06 月 24 日 13:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 財經 line share follow us in feedly line share
三星積極擴充 3D NAND,股價連四日反彈


三星電子(Samsung Electronics Co.)刻意壓低 DRAM 價格與對手競爭,讓美光(Micron Technology, Inc.)股價慘跌。不過,隨著 DRAM 毛利驟縮,三星傳出要積極擴張具有寡佔性的 3D NAND 產能,消息傳來也帶動其股價強彈。

南韓媒體中央日報日文版甫於 6 月 19 日報導,因固態硬碟(SSD)需求提振 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現急速增長,故三星計劃把生產 3D NAND 的中國西安半導體工廠產量較現行擴增 50%。報導指出,據熟知三星事務的關係人士透露,目前三星西安工廠晶圓月產量為 4-5 萬片,而三星計畫於今年底前將其產量提高 5 成(增加 2 萬片)至 6-7 萬片。

barron`s.com 隨後於 23 日報導,雖然美光與英特爾(Intel Corp.)已在 3 月發表最新 3D NAND 技術,還宣稱廠房已開始投產、預計今年底就會產能全開,但瑞士信貸分析師 Keon Han 與團隊發表研究報告指出,三星在 3D NAND 領域擁有獨特優勢,因為該公司可將 3D NAND 直接賣回給自己,而在客戶需求前景較為穩定下,三星能夠直接打造全新的 3D NAND 廠房,不需要像競爭對手那樣把舊友廠房升級來節省成本。瑞信認為,三星未來 2 年在 3D NAND 市場都不會面臨太多競爭。

摩根士丹利分析師 Shawn Kim 也指出,三星預估今年下半年需求主要還是由 3D NAND 固態硬碟(SSD)帶動,除了來自美國大客戶的訂單外,低階 PC 逐漸採用 SSD 也將提振需求。第三代 48 層的 3D NAND 成本效益高於平面的 NAND 型快閃記憶體,因此 3D NAND 已不再是壓低毛利率的禍首。

嘉實 XQ 全球贏家系統報價顯示,三星電子收盤價在 6 月 17 日(1,254,000 韓圜)創去年 11 月 26 日以來新低後,自 6 月 18 日起連彈 4 個交易日,但今日卻出現拉回,開盤迄今最多一度下挫逾 2%。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/General Physics Laboratory (GPL) CC BY 2.0)

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