合肥長鑫預計年底量產 1x 奈米 DDR4 DRAM,自主設計將成量產關鍵

作者 | 發布日期 2019 年 09 月 12 日 12:10 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 記憶體 follow us in feedly


雖然受到美國的壓力,但中國發展記憶體的決心似乎仍未改變。就在日前中國紫光集團宣布,將在重慶投資數百億建設 DRAM 記憶體研發中心及晶圓廠,預計最快 2021 年量產之後,現在又傳出中國的合肥長鑫將在年底前生產 DDR4 DRAM 記憶體,並採第一代 1x 奈米的製程生產,初期希望能達到 2 萬片的產能。

根據合肥長鑫之前公開的資料,2018 年該公司就已經與兆易創新簽訂了合作協議,共同開發 1x 奈米製程的 DRAM 記憶體,並且於 2018 年底正式展出了 8Gb DDR4 記憶體樣品。2019 年第 3 季則再推出 8Gb LPDDR4 記憶體樣品,並預計年底正式量產,月產能將達到 2 萬片晶圓,後續則將不斷提升到每月 12.5 萬片的目標產能。

或許大家還印象深刻的是,在之前的 GSA+Memory 記憶體高峰會,合肥長鑫的董事長兼執行長朱一明發表了《中國存儲技術發展與解決方案》主題演講,其中提到合肥長鑫的 DRAM 記憶體技術來源,主要就是已破產的德國奇夢達。合肥長鑫在獲得了 1 千多萬份奇夢達有關 DRAM 的技術文件及 2.8TB 技術資料之後,斥資超過了 25 億美元,才在此基礎上改進、研發自主產權的記憶體產品。不過,這樣的說法在市場上多數廠商仍舊質疑。所以,一旦合肥長鑫要真的量產 1x 奈米製程的 DDR4 DRAM 產品,勢必得通過其他 DRAM 廠商檢視其中專利權部分。而合肥長鑫要如何規避重重複雜的設計愈架構專利,將會是未來能否真正量產,而且在市場銷售的關鍵。

合肥長鑫 2016 年成立於安徽合肥,目前一期工程投資就高達 72 億美元(約 494 億人民幣),將建設一座月產能 12.5 萬片晶圓的記憶體工廠。現階段工廠建設已經進入了尾聲,正在進行設備安裝、調試階段。而一旦進度順利,則有望在年底前順利量產中國的第一批 DRAM 記憶體。

未來,合肥長鑫量產的 DDR4 DRAM 記憶體,若如同公司所說,完全藉由自行設計的架構,而且能順利在市面上銷售,則預計 1x 奈米製程及 8GB 的容量大小,雖然與美光、三星等公司的第 3 代 1z 奈米製程將陸續推出產品的情況還有差距,不過這卻是中國記憶體生產的一個里程碑,則後續對整個記憶體市場的影響,預計將會引發關注。

(首圖來源:shutterstock)