合肥長鑫預計年底量產 1x 奈米 DDR4 DRAM,自主設計將成量產關鍵 作者 Atkinson | 發布日期 2019 年 09 月 12 日 12:10 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 會員專區 | edit 雖然受到美國的壓力,但中國發展記憶體的決心似乎仍未改變。就在日前中國紫光集團宣布,將在重慶投資數百億建設 DRAM 記憶體研發中心及晶圓廠,預計最快 2021 年量產之後,現在又傳出中國的合肥長鑫將在年底前生產 DDR4 DRAM 記憶體,並採第一代 1x 奈米的製程生產,初期希望能達到 2 萬片的產能。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: DDR4 , dram , 三星 , 兆易創新 , 半導體 , 合肥長鑫 , 美光 , 記憶體