台積電 14 日線上法說會強調，目前 3 奈米 N3 製程依照進度進行，N3 製程方面，以高效能運算及智慧型手機應用有較多客戶投入。至於試產時間，計畫 N3 製程將在 2021 年試產，並預計在 2022 下半年量產，這相較於先前規劃的 2023 年量產時間足足提前一年。
台積電指出，N3 是繼台積電 5 奈米的 N5 製程之後，又一個全節點的新技術，相較於 N5，可提高 70% 的邏輯密度，效能提升 15%，功耗降低 30%。N3 使用 FinFET 架構來提供最成熟的技術、最好的效能及最佳的成本。而 N3 按照計畫開發且進度良好，相較於 N5及 N7 同期，我們看到目前 N3 在高效能運算及智慧型手機應用都有較多客戶投入。N3 試產時間計畫在 2021 年，並預計在 2022 下半年量產。屆時台積電的 N3 技術將在 PPA （效能、功耗及面積） 及電晶體技術上，都將會是業界最先進的技術。因此有信心台積電的 3 奈米技術會成為另一重要且持久的技術。
針對先進封裝技術的發展，台積電表示，目前已開發出領先業界並完備的晶圓級 3D IC 技術藍圖以提升系統級效能。而具差異性的小晶片（chiplet）及異質整合技術能帶來更好的功耗及其更小的尺寸以協助台積電的客戶，同時縮短客戶產品上市時程。這些技術包含晶片堆疊解決方案如 SoIC，及先進封裝解決方案如 InFO 和 CoWoS。
此外，也發現小晶片已成為產業趨勢。因此，台積電也正與幾位客戶在 3DFabric 技術系列上合作，以支持小晶片架構。台積電計畫 SoIC 將在 2022 年小量量產，由於高效能運算在頻寬效能、功耗表現及尺寸極為要求，預期將率先應用於高效能運算相關應用。在此情況下，預期來自後段封裝技術（包含先進封裝及測試）接下來幾年，成長將稍微超過公司的整體平均。
針對 2021 年大幅提高資本支出一事，台積電說明，台積電長期資本密集度約落在 30%~40%，但當要進入成長幅度更高的區間，必須先投入資本支出，業績才會隨之成長，在這樣的情況下，資本密集度會更高。2010~2014 年間，資本支出相較前幾年增加 3 倍，當時台積電的資本密集度約為 38%，也因此，台積電得以把握成長的機會，並在 2010~2015 年可有 15% 年複合成長率。
如今台積電進入另一個高成長區間，因此認為較高資本密集度在目前這階段是適切的，並可以幫助台積電掌握未來成長的機會。尤其預期因 5G 及HPC 相關應用的產業大趨勢，將在未來幾年將為台積電帶來更高的年複合成長率。而當先進製程資本支出因製程複雜度而持續增加時，預期透過持續強調台積電的價值 （包含技術、服務、品質，產能支援以及致力成本優化），能得到相對應的報酬。此外，台積電也重申將維持每年／每季穩定且可持續的現金股利的承諾不變。
（首圖來源：台積電）
