外流文件顯示台積電 N3E 製程發展順利，良率超過預期

市場消息晶圓代工龍頭台積電將在 9 月量產 3 奈米 (N3) 製程，一份公司 PPT 指出，增強版 N3E 製程也在研發。台積電之前說法，N3E 製程將在 N3 量產後一年量產，PPT 雖未標示日期，但可看出 N3E 發展順利，甚至進度超前。

外媒 Tomshardware 報導，台積電 PPT 從風險試產時間點看，N3E 製程 SRAM 良率明顯高於 N3 製程。有消息指 N3E 的 SRAM 平均良率約 80%，同樣令人印象深刻的是，Mobile 和 HPC 測試晶片良率也約 80%。經良率驗證環式振盪器性能優於 92%。

N3E 製程進展順利不太令人驚訝，因台積電 N3E 稍微降低電晶體管密度，自然良率更高。其他優勢還包括更快運算速度，以及更低功耗。

媒體報導，台積電不在美國生產 3 奈米決定可能有轉變。之前不希望台灣以外生產先進製程，但因美國晶片法案通過，美國政府經費補助吸引台積電可能在美國投資第二座晶圓廠發展先進製程。不過台積電並未回應。

(首圖來源：shutterstock）