鎧俠攜手威騰日本 Fab7 晶圓廠落成,2023 年出貨 162 層 NAND Flash

作者 | 發布日期 2022 年 10 月 26 日 17:50 | 分類 公司治理 , 半導體 , 晶片 line share follow us in feedly line share
鎧俠攜手威騰日本 Fab7 晶圓廠落成,2023 年出貨 162 層 NAND Flash


根據日媒報導,記憶體大廠鎧俠 (Kioxia) 和威騰 (Western Digital ) 在日本慶祝位於四日市最先進製程晶圓廠 Fab7 完工。 Fab7 晶圓廠第一期的總投資約為 1 兆日圓 (約新台幣2,220億元),而第一階段的部分投資金額將由政府補貼資助。Fab7 的產能在未來隨著時間而逐步增加之後,將促進頂尖半導體生產設施發展,並確保日本半導體的穩定供貨。

報導指出,Fab7 具備生產第六代 162 層 NAND Flash 快閃記憶體和未來先進 3D NAND Flash 快閃記憶體的能力,計劃於 2023 年初開始出貨 162 層 NAND Flash 快閃記憶體。而該工廠也將使用人工智慧來提高生產效率,並採用空間高效利用的設計,擴大了潔淨室中製造設備的可用空間。鎧俠與威騰還強調,Fab7 晶圓廠是以安全和可持續發展所建造的,能夠吸收地震帶來的衝擊。

鎧俠總裁兼執行長 Nobuo Hayasaka 表示,Fab7 是日本最新、技術最先進的半導體製造工廠,對於鎧俠未來的發展將不可或缺。威騰電子的技術與戰略總裁 Siva Sivaram 表示,憑藉其創新的設計和生產效率,新的 Fab7 晶圓廠將彰顯威騰電子為全球客戶提供可持續記憶體和存儲技術的承諾。

事實上,鎧俠與威騰電子兩家公司已建立了 20 多年的合資夥伴關係,成功合作多項產品。未來將繼續就由聯合開發 3D NAND Flash 快閃記憶體,最大程度發揮協同作業的效應。根據市調單位TrendForce 的資統計資料顯示,2022 年第二季全球 NAND Flash 快閃記憶體市場中,鎧俠的全球市占率位居第三名,僅次於南韓三星與 SK 海力士,占比達到 15.6%。至於,威騰的排行則位居第四,市場占比為 13.2%。

(首圖來源:官網)