台積電舉行北美技術論壇，揭密 2 / 3 奈米製程與先進封裝發展進度

台積電 26 日舉行 2023 年北美技術論壇，揭示最新技術發展，包括 2 奈米進展，以及領先 3 奈米技術家族新成員，提供廣泛組合滿足客戶需求；還有支援更佳功耗、效能與密度的強化版 N3P 製程、為高效能運算應用量身打造的 N3X 製程、支援車用客戶及早採用業界最先進製程技術的 N3AE 解決方案等。

台積電表示，北美技術論壇於美國加州聖塔克拉拉市舉行，共計超過 1,600 位客戶及合作夥伴報名，為接下來幾個月陸續登場的全球技術論壇揭開序幕。技術論壇亦設置創新專區，展示 18 家新興客戶令人期待的創新技術。

台積電總裁魏哲家表示，客戶從未停止尋找新方法，利用晶片力量為世界帶來令人驚歎的創新，並創造更美好的未來。基於相同精神，台積電也持續成長，加強推進製程技術，提高效能、功耗效率及功能性，協助客戶持續釋放更多創新力量。

北美技術論壇焦點有：

1. 更廣泛 3 奈米技術組合，包括 N3P、N3X 及 N3AE。隨著 N3 製程進入量產，強化版 N3E 製程 2023 年量產，台積電推出更多 3 奈米技術家族成員以滿足客戶多樣化需求。

• N3P 預定 2024 下半年量產，相較 N3E，相同漏電下增速 5%。相同速度功耗降低 5%~10%，晶片密度增加 4%。
• N3X 著重效能與最大時脈頻率以支援高效能運算應用，相較 N3P，驅動電壓 1.2 伏特時增速 5%，並有相同晶片密度提升幅度，2025 年量產。
• N3AE 提供以 N3E 為基礎的汽車製程設計套件 (PDK)，2023 年推出，客戶能提早採用 3 奈米設計汽車產品，以便 2025 年採用全面通過汽車製程驗證的 N3A 製程。

2. 奈米技術開發進度順利，2 奈米採奈米片電晶體架構，良率與元件效能皆展現不錯進展，如期 2025 年量產。相較 N3E，相同功耗速度最快增加 15%，相同速度功耗最多降低 30%，同時晶片密度增加 15% 以上。

3. N4PRF 推動 CMOS 射頻技術極限。2021 年推出 N6RF 後，台積電再開發 N4PRF，為業界最先進互補式金屬氧化物半導體 (CMOS) 射頻技術，支援 Wi-Fi 7 射頻系統單晶片等數位密集型應用。相較 N6RF，N4PRF 邏輯密度增加 77%，相同速度的功耗降低 45%。

4. 3DFabricTM 先進封裝及矽晶堆疊，台積電 3DFabric 系統整合技術主要新發展有：

• 先進封裝：為了滿足高效能運算應用單一封裝置入更多處理器及記憶體的需求，台積電正在開發高達 6 個光罩尺寸 (約 5,000 平方公釐) 重佈線層 (RDL) 中介層的 CoWoS 解決方案，能容納 12 個高頻寬記憶體堆疊。
• 三維晶片堆疊：台積電宣布推出 SoIC-P，為系統整合晶片 (SoIC) 解決方案的微凸塊版，有成本效益堆疊 3D 晶片，SoIC-P 加上目前 SoIC-X 無凸塊解決方案，使 3D IC 技術更臻完善。
• 設計支援：台積電推出開放式標準設計語言的最新版 3DbloxTM 1.5，降低三維積體電路 (3D IC) 設計門檻。3DbloxTM 1.5 增加自動凸塊合成功能，協助晶片設計人員處理有數千個凸塊的複雜大型晶片，可縮短數個月設計時程。

台積電技術論壇將陸續移師奧斯汀、波士頓、歐洲、以色列、中國、日本舉行。5 月 11 日為台北場。

(首圖來源：影片截圖)