SK 海力士確認 2024 年啟動 HBM4 開發

雖然 2023 年記憶體市場低迷，不過，SK 海力士卻把握住了伺服器市場更換 DDR5 記憶體及生成式人工智慧（AI）爆發的機會，憑藉針對性的產品線和市場策略，拿下了不少市場占有率。而且，在成為輝達高頻寬記憶體的合作夥伴之後，SK 海力士延續了 HBM 市場的領導地位，甚至出現了「贏家通吃」的局面。

近日，SK 海力士在介紹 2024 年儲存產品線的時候，已確認 2024 年將啟動下一代 HBM4 的開發工作，為資料中心和人工智慧產品提供動力。其實，在 2023 年在第四季，包括三星和美光就已先後確認正在開發 HBM4，預計分別在 2025 年和 2026 年正式推出。

HBM 已經經過 5 個世代的發展，其中在 HBM3E 是 HBM3 的擴展版本，而HBM4 將是第 6 代產品。SK 海力士表示，HBM3E 會在 2024 年進入大量生產，而啟動 HBM4 的開發工作代表著 HBM 產品的持續發展邁出了重要的一步。

先前報導，下代 HBM4 設計會有重大變化，堆疊採 2048 位元介面。2015 年以來，每個 HBM 堆疊都是 1024 位元介面，位元頻寬翻倍是 HBM 記憶體技術推出後最大的變化。如果 HBM4 能保持現有的接腳速度，代表著頻寬將從現在 HBM3E 的 1.15TB/s，提升到 2.3TB/s 的水準，提升會相當明顯。

HBM4 堆疊層數也有變化，除了首批 12 層垂直堆疊，2027 年還有 16 層垂直堆疊產品。HBM 還會往更客製化方向發展，不僅安裝在 SoC 主晶片旁邊，部分還會轉向堆在主晶片上，帶來更大效益。

（首圖來源：SK 海力士）