英特爾拿下首套 High-NA EUV,威脅台積電龍頭地位?

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 08 日 7:30 | 分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體 line share follow us in feedly line share
英特爾拿下首套 High-NA EUV,威脅台積電龍頭地位?


英特爾 (Intel) 近日宣布,已經接收市場首套具有 0.55 數值孔徑(High-NA)的 ASML 極紫外(EUV)曝光機,將協助其在未來幾年大成更先進的晶片製程技術。與之形成對比的是,台積電當前則視似乎按兵不動,並不急於加入這場下一代曝光技術的競賽。市場分析師預計,台積電可能要到 1.4 奈米 (A14),或是更晚的 2030 年之後才會採用這項技術。

英特爾這次獲得的 High-NA EUV 曝光機將首先用於學習和掌握這項技術,並預計在未來兩到三年內用於 intel 18A 製程技術之後的制程節點。相較之下,台積電則採取更加謹慎的策略,市場分析師就認為,台積電可能要到預計的 A1.4 製程,或者是 2030 年之後才會採用 High-NA EUV 曝光機。

分析師表示,與英特爾計劃將 High-NA EUV 與 GAA 電晶體同時導入 intel 20A 製程技術不同的是,預計台積電將在 A14 製程技術之後才導入 High-NA EUV,甚至時間將更晚到 2030 年以後。

事實上,英特爾積極的製程技術發展路線,包括從 intel 20A 開始導入 RibbonFET 全環柵電晶體架構和 PowerVia 背面供電技術。然後,在 intel 18A 進一步優化,並在 intel 18A 之後製程節點採用 High-NA EUV 曝光機,以達到更低功耗、更高性能,以及更小晶片尺寸的目標。

市場分析師認為,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高於 Low-NA EUV,這也是台積電暫時觀望的原因。因為台積電更傾向於採用成本更低的成熟技術,以確保產品競爭力。因為 High-NA EUV 需要更高的光源功率才能驅動更精細的曝光尺寸,這會加速投影光學器件和光罩的磨損,抵消了更高產能的優勢。因此,這與台積電以最具成本競爭力的技術瞄準市場的策略一致。

而台積電早在 2019 年就開始在晶片量產中使用 EUV 曝光機,雖然比三星晚了幾個月,辦事比英特爾卻早了幾年的時間。當前,英特爾希望在 High-NA EUV 領域搶先三星和台積電,以獲得一定的技術和戰略優勢,增加客戶的青睞程度。所以,一旦台積電等更晚才採用 High-NA EUV 曝光機,能否持續保住其在製程技術方面的領先地位,則需要後續持續觀察。

(首圖來源:ASML)

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