英特爾向德國遞交晶圓廠興建藍圖,安裝 High-NA EUV 曝光機

作者 | 發布日期 2024 年 03 月 04 日 12:15 | 分類 公司治理 , 半導體 , 國際觀察 line share follow us in feedly line share
英特爾向德國遞交晶圓廠興建藍圖,安裝 High-NA EUV 曝光機


2023 年 6 月,處理器龍頭英特爾 (Intel) 與德國聯邦政府達成了協議,雙方宣布簽署了一份修訂的投資意向書,計畫投資超過 300 億歐元,在馬格德堡興建兩座新的晶圓廠。德國聯邦政府已同意提供 100 億歐元補貼,含《歐洲晶片法案》和政府激勵措施及補貼。

根據外媒報導,英特爾已經提交了德國新建晶圓廠的示意圖,顯示初期為兩座晶圓廠分別為 Fab 29.1 和 Fab 29.2,將安裝世界上最先進的半導體工具。而且,英特爾還留有足夠的空間,最多能再興建另外六座晶圓廠。預計首批兩座晶圓廠會在 2027 年第四季度投入運營,包括 Intel 14A 和 Intel 10A 兩個先進節點製程相信都在計畫之內。

報導指出,Fab 29.1 和 Fab 29.2 占地約 8.1 萬平方公尺,總長度為 530 公尺,寬度為 153 公尺,每層高度在 5.7 至 6.5 公尺之間,共有三層,再加上用於空調和暖氣的屋頂結構,建築物高度達到了 36.7 公尺。其中,High-NA EUV 曝光機會安裝在樓層高為 6.5 米的第二層當中,上下兩層用於材料物流,提供必要的資源,例如水、電和化學品等。而根據 ASML 提供的模型,第一代採用 High-NA 的生產節點製程,將使用 4~9 次 High-NA EUV 曝光和總共 20~30 次標準 EUV 曝光。

除了兩座晶圓廠,園區內還有眾多輔助建築,包括冷卻器和沸騰器(BC1)、倉庫(WH1)、超純水儲存(PB1)、特殊氣體儲存( BG1)、空氣分離廠(AU1)、辦公樓(OB1)、服務大樓(SB1)、資料中心(DC1)、廢水預處理大樓(WT1)、鹼性廢水預處理(NH4W)、以及停車場(PK1)。另外,Fab 29 將採用 380 千伏特高壓供電,自己也將有獨立的供電系統,英特爾計畫使用電池儲能系統來代替傳統的柴油發電機作為備用電源,強調了其對可持續性的承諾。

(首圖來源:英特爾)