三星新 DRAM 考慮 MUF 技術，可能躍升主流

韓國媒體 TheElec 報導，三星正在考慮下代 DRAM 應用模壓填充（MUF）。三星最近測試 3D 堆疊 (3DS) 記憶體 MR MUF，與 TC NCF 相較傳輸量提升，但物理特性卻惡化。

MUF 是在半導體上打數千個微小孔，然後將上下層半導體連接的矽穿孔 (TSV) 技術後，注入半導體之間材料，作用是將垂直堆疊多個半導體牢固固定連接。測試後結論，MUF 不適用高頻寬記憶體 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用矽通孔 (TSV) 技術製造，主要用於伺服器。

之前三星已在雙列直插式記憶體模組（RDIMM）使用熱壓非導電膜（TC NCF）。MUF 是 SK 海力士製造高頻寬記憶體（HBM）技術，為 Mass Re-flow Molded Underfill 簡稱 MR-MUF。MUF 是種環氧樹脂模塑化合物，自從 SK 海力士成功生產 HBM 後，便在頗受關注，業界認為避免晶圓翹曲更有優勢。

SK 海力士化合物是與 Namics 合作開發，消息人士稱三星計畫與三星 SDI 合作開發 MUF 化合物，已訂購 MUF 模壓設備。因三星是世界最大記憶體企業，若三星也導入 MUF，就會成為主流技術，半導體材料市場也會發生巨大變化。三星回應是「無法確認技術戰略」。

(首圖來源：三星)