小摩:DRAM 總產能料縮減,供應成長有限

作者 | 發布日期 2015 年 04 月 15 日 14:30 | 分類 財經 , 零組件 line share follow us in feedly line share
小摩:DRAM 總產能料縮減,供應成長有限


雖然南韓 DRAM 廠商傳出增產,但分析師認為,製程轉換將導致產能減損,業界的整體總產能仍將下滑。

美國知名財經網站霸榮(Barron`s.com)14 日報導,J.P.摩根發表研究報告指出,行動 DRAM 需求明顯攀高,已在 2015 年首度超越 PC DRAM,其中 LPDDR4 成為高階智慧型手機的主流內建規格,估計蘋果(Apple Inc.)、三星電子(Samsung Electronics)的高階智慧手機未來兩年會佔整體智慧手機行動 DRAM 需求的 40% 以上。

因此,J.P.摩根預估,在 iPhone 容量升級逾 2GB、64 位元應用處理器 / Android 5.0 帶動 Android 智慧手機陣營升級的提振下,行動 DRAM 的容量成長率會加快到 2016 年。

另外,廠商由 PC DRAM 轉為行動 DRAM、DDR3 轉為 DDR4 這兩大主流趨勢,會各自導致良率折損 10% 以上,再加上製程技術轉換至 20 奈米所損失的產能,預估就算三星、SK 海力士(SK Hynix)決定增產,整體業界的 DRAM 總產能也會年減至少 3%,進而讓 2015 年 DRAM 位元供應量的成長率限制在 30% 以下,不如 2014 年的 35%。

J.P.摩根預估,2014-2016 年期間,NAND 型快閃記憶體的整體銷售額複合年增率(CAGR)將達 11%,高於 DRAM 的 8%。由於 DRAM 業者的營收與股價有高度關聯性,而該證券又預期 DRAM、NAND 型快閃記憶體銷售額會在 2015 年第 2 季呈現季增,因此記憶體類股最近有望反彈。

J.P.摩根看好的記憶體類股依序為:三星、東芝(Toshiba)、 SK Hynix、美光(Micron Technology)與華亞科。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/James Bowe CC BY 2.0)