武漢新芯新廠重點主打 3D-NAND Flash
集邦表示,武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從 3 月底開始進行建廠工程,目標最快在 2018 年年初開始生記憶體晶片,初期規劃將以目前最先進的 3D-NAND Flash 為主要…
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作者 technewsdaily | 發布日期 2016 年 03 月 22 日 8:50 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經 | edit |