7 奈米製程進展公開,台積電良率很健康、三星還要再等等

作者 | 發布日期 2017 年 02 月 10 日 16:00 | 分類 Apple , Samsung , 晶片 follow us in feedly

就在日前半導體龍頭英特爾(Intel)宣布投資 70 億美元,用以升級在美國的 Fab 42 工廠,並準備 3 到 4 年後生產 7 奈米製程,正式宣告拉開了 7 奈米製程世代的半導體製程競爭序幕後。競爭對手三星與台積電,也在日前的國際固態電路研討會 (ISSCC) 會議上公布了自家的 7 奈米製程進展,宣示進入 7 奈米製程世代的決心。




根據外媒 EEtimes 的報導,在 ISSCC 會議上,台積電展示了 7 奈米 HKMG FinFET 製程的 256Mb SRAM 晶片,其核心面只有 16 奈米製程的 34%,而且良率很好。至於,三星所展示的 7 奈米製程 SRAM 晶片只有 8Mb,而且更多的只是研究性質。因此,據說三星要等 EUV 光刻技術更加成熟,才會有進一步的進展。7nm-1報導中進一步指出,台積電雖然在 16 奈米 FinFET 的技術上吃過虧,不過在 10 奈米、7 奈米製程上依舊野心勃勃。而且,預計 2017 年上半年將使用 10 奈米製程為蘋果量產 A11 處理器,加上這次公布的 7 奈米製程進展看起來也很順利,等於宣告台積電在這兩個世代技術進步上都大有斬獲。

根據台積電公開的 7 奈米製程所製造的 256Mb SRAM 晶片來看,位元單元面積只有 0.027um²,7 層金屬層製程,整個核心面積也只有 42mm²。根據台積電存儲業務部門的高層表示,台積電的 7 奈米製程核心面積只有 16 奈米製程的 0.34 倍。而良率問題,台積電在論文中表示,7 奈米製程良率很 「健康」(healthy),顯示台積電對此信心十足。

在此同時,台積電的競爭對手三星也公開了 7 奈米製程的部分資訊。不過,三星介紹的 SRAM 晶片容量只有 8Mb,更像是研究,而非開發性質。目前三星也同時針對現有設備及 EUV 製程開發了兩種修復技術,結果顯示 EUV 製程部分表現較好。不過,修復處理並非半導體製造的必須過程,而是三星驗證 EUV 製程可以做到什麼程度的測試。

根據三星 2016 年公布的消息,三星在 7 奈米製程上是希望等到 EUV 製程成熟之後,再來做進一步發展。因此,根據業界分析,認為 EUV 製程必須要在 2020 年才會達到量產水準,屆時三星也可能較台積電在 7 奈米製程上有所落後。

(首圖來源:科技新報攝) 

發表迴響