三星衝市占,64 層 NAND 快閃記憶體宣布量產
三星電子周四宣布,最新 64 層 256GB V-NAND 快閃記憶體已進入量產,與此同時,三星還將擴展包含伺服器、PC 與行動裝置之儲存解決方案。64 層 V-NAND 快閃記憶體用稱為第四代 V-NAND 晶片,韓國…
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TechNews 科技早報 – 20170616 |
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作者
technewsdaily |
發布日期
2017 年 06 月 16 日 9:26 |
分類
手機
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三星衝市占,64 層 NAND 快閃記憶體宣布量產
三星電子周四宣布,最新 64 層 256GB V-NAND 快閃記憶體已進入量產,與此同時,三星還將擴展包含伺服器、PC 與行動裝置之儲存解決方案。64 層 V-NAND 快閃記憶體用稱為第四代 V-NAND 晶片,韓國…
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