DRAM 產業第三季營收增 16.2% 創新高,第四季價格平均漲幅 10%

作者 | 發布日期 2017 年 11 月 13 日 14:20 | 分類 Samsung , 記憶體 , 財經 follow us in feedly

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMe Xchange)調查顯示,2017 年第三季 DRAM 產業營收表現又再度創下歷史新高,受惠於傳統銷售旺季加上供給端成長有限,各類 DRAM 產品合約價普遍較前一季再上漲約 5%。從市場面觀察,第三季 DRAM 總營收較上季再成長 16.2%,整體產業仍處於供貨吃緊狀態。



展望下一季,DRAMeXchange 研究協理吳雅婷指出,整體而言,第四季 DRAM 價格平均漲幅將落在 10%。其中,PC-OEM 廠已議定第四季合約價格,就一線大廠訂價來看,均價已正式突破 30 美元,落在 30.5 美元,較上一季平均漲幅約達 7%;從市場面來觀察,此波漲幅主要受到行動式記憶體接棒漲價帶動,配合 DRAM 供給吃緊的狀況延續,以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應,以三星為首的 DRAM 廠決定調升行動式記憶體報價,而手機客戶為了備有足夠庫存也只能接受,因此行動式記憶體在第四季漲幅約有 10%~20%(取決於不同的容量);而伺服器記憶體拉貨動能亦十分強勁,第四季度合約價繼續上漲 6%~10%。

兩大韓廠第三季合併市占率達 74.5%,美光第四季可望縮小市占差距

綜觀第三季營收表現,三星依然穩坐 DRAM 產業的龍頭,營收來到 88 億美元,較第二季成長 15.2%,再度創下歷史新高;而 SK 海力士營收金額來到 55 億美元,較前一季成長 22.5%,成長動能顯著,兩大韓廠的市占各為 45.8% 與 28.7%,合計已囊括 74. 5% 的市占率。美光集團仍舊維持第三,營收金額為 40 億美元,季增 13.0%,市占 21.0%。由於 SK 海力士本季平均銷售單價高於美光,導致兩者三季的市占差距持續擴張;展望第四季,由於美光逆勢成為價格領導者,價格漲幅超越兩大韓系廠,預計將縮減與第二名的市占差距。

受到價格持續上漲以及製程微縮所帶來的成本效益,三星第三季營業利益率衝破 60% 大關,來到 62% 歷史新高;SK 海力士亦從第二季度的 54% 再提升至 56%;美光在 17nm 良率逐漸穩定下,營業利益率從 44% 來到 50%,成長最為顯著。展望第四季,受惠於 DRAM 價格持續上漲,各家獲利可望進一步提升。

三星正思索擴產計畫,SK 海力士與美光專注良率與製程轉進

觀察各廠技術與產能布局,三星今年的目標除了專注於 18nm 製程的持續轉進外,近幾季 DRAM 同業的高獲利,亦刺激三星開始思索可能的 DRAM 擴產計畫,一方面因應供給吃緊狀況,另一方面則藉由提高 DRAM 產出量,壓抑 DRAM 價格上漲幅度。三星此舉將可鞏固領先地位,維持與其他 DRAM 大廠 1~2 年以上的技術差距。

反觀 SK 海力士今年目標還是著重於 21nm 的良率提升與該製程占比,18nm 製程產品則預計年底會有小量出貨;至於擴廠計畫,SK 海力士在中國無錫新建的第二座 12 吋廠最快要到 2019 年才會有產能開出;而美光方面,台灣美光記憶體(原瑞晶)目前仍致力於改善 17nm 產品的穩定度,預期到年底良率可達 80%以上,而台灣美光晶圓科技(原華亞科)今年仍以 20nm 製程良率的提升為主,明年將可望有一半產能轉往 17nm 生產。

台系廠商部分,南亞科第三季營收較前一季小幅成長 5.3%,主要因為該公司以利基型產品為主,價格上揚幅度不及國際大廠較完整的產品線。展望未來,由於該公司 20nm 良率繼續提升,將會持續改善成本結構,增加南亞科的獲利空間。力晶科技方面,DRAM 季營收下滑 3.6 %,主因是替晶豪科、愛普等代工的獲利佳,排擠部分 DRAM 產能;華邦方面營收則成長 8.7%,但由於後續製程轉進狀況不明,未來獲利狀況將完全受記憶體平均銷售單價提升的牽動。

TrendForce 將在 2017 年 12 月 7 日(四),於台大醫院國際會議中心 402AB 室(台北市中正區徐州路 2 號 4 樓)舉辦「 集邦拓墣 2018 關鍵零組件趨勢論壇」研討會。活動網址:http://seminar.trendforce.com/Campaign/ComponentIndustry2017/TW/ index/

(首圖來源:shutterstock)