三星 2017 年狂砸台幣 7,800 億元資本支出,為英特爾與台積電總和

作者 | 發布日期 2017 年 11 月 15 日 11:34 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 處理器 follow us in feedly


隨著市場競爭加劇,半導體競爭從產品、技術,延伸到資本支出。根據市場調查機構 IC Insights 最新調查報告顯示,2017 年全球半導體產業資本支出將達 908 億美元(約新台幣 2.74 兆元),較 2016 年成長 35% 。其中,南韓半導體大廠三星的資本支出翻倍成長,由 2016 年 113 億美元(約新台幣 3,403 億元),成長至 2017 年的 260 億美元(約新台幣 7,834 億元),為英特爾及台積電全年資本支出的總和。

報告表示,三星 2017 年的資本支出達 260 億美元,不但金額之高史無前例,年成長幅度也是從未見過的新高。IC Insights 預計,三星在 2017 年第 4 季將有 86 億美元的資本支出,約佔全體半導體產業當季資本支出 262 億美元的 33%。三星 2017 年第 4 季的銷售金額,約等於全球半導體產業銷售金額的 16%。

至於,三星的 260 億美元資本支出會如何分配?IC Insights 表示,3D NAND Flash 方面,將花費 140 億美元在平澤(Pyeongtaek)工廠的產能擴大計畫。另外 70 億美元會用在 DRAM 製程轉移,以及填補製程轉移損失的容量消耗。晶圓代工部分,將花費 50 億美元用於提升 10 奈米製程能力。

對三星擴大資本支出,IC Insights 表示,將對全球半導體產業造成影響,首當其衝的,就是 3D NAND Flash 產業。IC Insights 解釋,未來 3D NAND Flash 可能因三星擴產造成產量過剩,不過並非三星一家公司造成,而是三星帶給其他 SK 海力士、美光、東芝、英特爾等公司的壓力,在某些特別領域的資本支出增加,以提升產能。

IC Insights 也指出,三星這樣的資本支出規模,足以阻止任何中國在 DRAM 及 3D NAND Flash 等產品新創公司進入市場的希望。尤其中國相關新創公司技術無法與三星、SK 海力士、美光等公司競爭,如果沒有一家大型相關合資企業出現,則中國廠商難以與這些領先者對抗。

(首圖來源:三星)