NAND Flash 需求不退燒,東芝宣布興建第 7 座 NAND Flash 工廠

作者 | 發布日期 2017 年 12 月 25 日 10:41 | 分類 伺服器 , 國際貿易 , 晶片 follow us in feedly


2017 年是 NAND Flash 快閃記憶體廠商豐收的一年,零售價格的暴漲帶動了廠商的營收,同時還對獲利有了巨大貢獻。所以,當前全球的 4 大 NAND Flash 廠商,包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。而根據外電的報導,東芝就最新宣布,將拿出 70 億日圓的金額,準備興建第 7 座快閃記憶體工廠(Fab7),地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。

事實上,目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設當中,預計將於 2018 年第 4 季完工。不過,面對市場的強烈需求,東芝擴產的步伐似乎還不打算停下來。因此,東芝在 21 日宣布,將投資 70 億日圓用於 Fab7 廠的興建,選址就位於日本四日市。日前,東芝才就出售半導體業務一事已經和威騰電子握手言和,達成協議。未來東芝需要威騰電子的資料提供,以使得 2018 年的新先進晶片生產線進行投產,以此競爭對手和三星、Intel、及 SK 海力士競爭。

報導進一步指出,目前資料中心和企業伺服器強勁 NAND Flash 快閃記憶體需求,已經促使東芝擴大在四日市的設備規模。而且,其他 NAND Flash 快閃記憶體供應商,包括了三星與 SK 海力士在 2017 年都宣佈完成或開始新廠建造計畫。

目前,東芝主要以生產 64 層堆疊的 V-NAND 快閃記憶體為主,未來計劃在下一步升級到 94 層 V-NAND 快閃記憶體生產。而除了 TLC 規格之外,也將還會有特別的 QLC 規格產品,目的就是為了加強產品的滲透力以提升市場競爭力。

而對於將興建 Fab7 廠,東芝預計在 2018 年 2 月完成新廠的土地的收購作業,同時會下單建築材料和基礎設備。據了解,東芝還將根據市場趨勢,成立東芝儲存岩手縣公司,以管理工廠的建設和運營。整體廠房興建計劃將在 2018 年底前完成,2019 年之後逐步安裝設備,並且在年底前開始生產。

(首圖來源:東芝)