南韓三星為了多元化營收來源，這兩年晶圓代工業務為重點發展項目，2018 年率先推出 7 奈米 EUV 製程，搶在台積電、格羅方德與英特爾之前推出。但三星如今似乎「吃緊弄破碗」，FinFET 製程惹上了麻煩。根據南韓媒體報導，上週三星被美國法院判決，侵犯自家南韓科學技術院（KAIST）的專利，需賠償 4 億美元。但三星對此表示不服，將再提出上訴。
報導指出，三星與 KAIST 在 FinFET 製程的爭議已久。KAIST 在本次訴訟表示，當時還在 KAIST 工作的教授 Lee Jong-ho，2001 年向三星展示過 FinFET 技術，但三星起初對 FinFET 製程並不在意，直到後來看到英特爾 FinFET 量產之後，三星也加快 FinFET 製程開發。三星就使用了 Lee Jong-ho 教授的 FinFET 製程為基礎，改進本身的 FinFET 製程，2011 年推出跟 Lee Jong-ho 教授研發的 FinFET 製程相近的 FinFET 製程技術。
就因為這樣，KAIST 跟三星結下了梁子。2016 年，KAIST 在美國德州智慧財產權局控告三星，宣稱三星 FinFET 製程侵犯了他們的專利權。三星回應表示，他們是跟 KAIST 合作開發 FinFET 製程，並質疑 KAIST 的 FinFET 專利有效性。不過，陪審團沒有聽三星的理由，最終在上週判決三星侵犯 KAIST 的 FinFET 專利權成立，需賠償 KAIST 約 4 億美元。
對審判結果，美國德州知識產權局陪審團認為，三星侵權是故意的，4 億美元的賠償還不是最後結果，未來甚至有可能被判最重罰款 12 億美元。三星方面則對判決表示不服，指出將考慮所有可能的選項，以在未來上訴後獲得合理的判決。此外，這起侵權案還涉及高通與格羅方德，他們也被判侵權成立。不過，法院方面並沒有要求他們賠償任何損失。
（首圖來源：Flickr/g0d4ather CC BY 2.0）
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