SK 海力士南韓 M15 工廠 4 日落成,未來將衝刺 NAND Flash 市場

作者 | 發布日期 2018 年 10 月 02 日 17:05 | 分類 Samsung , 記憶體 , 財經 follow us in feedly

根據南韓媒體報導,南韓記憶體大廠 SK 海力士於 10 月 4 日在南韓忠清北道清州舉行 M15 半導體工廠啟用典禮,並開始生產第 5 代 96 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體,這也將鞏固 SK 海力士全球第二大記憶體製造商的地位。




報導指出,SK 海力士在 M15 投資了 15 兆韓圜(約新台幣 4,200 億元),一開始將生產第 4 代 72 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體,然後從 2019 年初開始生產 96 層 3D NAND Flash 快閃記憶體。相較第 4 代 72 層堆疊產品,第 5 代 96 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體,在傳輸速度、容量、功耗都提高 30%~40%。

SK 海力士完成 M15 工廠有兩大意義。首先,新工廠幫助 SK 海力士更積極因應全球對 3D NAND Flash 快閃記憶體的需求,NAND Flash 快閃記憶體因為工業 4.0 應用而快速成長。SK 海力士目前在 NAND Flash 市場排名第四或第五,預計藉由擴大生產 96 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體,縮小與競爭對手三星、東芝、美光等企業的差距。

M15 工廠落成,也代表著 SK 海力士對 DRAM 的依賴可逐步減少。2017 全年,DRAM 占公司營業利益 90%,2018 年第 2 季 SK 海力士在全球 DRAM 市場排名第二,市占率為 29.6%。NAND Flash 快閃記憶體市場排名第四,市占率 11.1%。

由於全球 NAND Flash 快閃記憶體需求成長,使記憶體製造商增加投資 NAND Flash 快閃記憶體。如三星將投資 70 億美元在中國西安建立第 2 家 NAND Flash 快閃記憶體製造工廠,並自 2019 年底前開始生產 48 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體。東芝方面,近期在日本建造了一座類似的工廠,最近也完成 32 堆疊層 NAND Flash 快閃記憶體開發,計劃從 2018 年底開始生產。

除了三星與東芝,擴產最積極的就屬中國廠商。SK 海力士的 M15 工廠未來生產的 96 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體,將成為 SK 海力士對抗中國競爭者的利器。目前南韓、美國和日本等記憶體公司正在積極開發 96 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體。2017 年 6 月,東芝與威騰電子合作開發該技術,且於日前正式生產。美光科技方面,則計劃在 2017 年與英特爾完成開發,三星在 2018 年 5 月正式宣布供應 90 層堆疊產品。

根據相關業者表示,M15 工廠未來成功營運後,可有效改善 SK 海力士目前業務結構。相較 SK 海力士,三星在 DRAM 和 NAND Flash 的比重為 60% 和 40%。之前,SK 海力士願意參與貝恩資本發起的「美日韓聯盟」,投資不少於 4 兆韓圜(約新台幣 1,100 億元),參與競標東芝半導體經營權,就是想降低對 DRAM 產品的依賴。

根據 SK 海力士 2018 年第 2 季財報,營業利益較 2017 年同期的 3.1 兆韓圜(約新台幣 846 億元)上升 83%,來到 5.6 兆韓圜(約新台幣 1,528.5 億元),也優於市場預期的 5.4 兆韓圜(約新台幣 1,474 億元)。營收年增 55%,達到創紀錄的 10.4 兆韓圜。其中,DRAM 占 80% 銷量,NAND Flash 則占 18%。

(首圖來源:Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0)