因應 2019 年記憶體價格下修,SK 海力士控制產能與資本支出

作者 | 發布日期 2018 年 10 月 26 日 9:00 | 分類 國際貿易 , 手機 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


根據南韓媒體《ETNEWS》報導,南韓記憶體大廠 SK 海力士(SK Hynix)表示,為了因應 2019 年包括 Nand Flash 快閃記憶體及 DRAM 的價格走跌,SK 海力士不但將自 2018 年底前開始減少投資規模,還將監控並調整 2019 年的產能。

報導指出,SK 海力士是在發表 2018 年第 3 季財務狀況時指出,在中美貿易大戰越演越烈,使得市場不確定因素增加的情況下,造成整體市場開始往保守的方向前進。SK 海力士指出,近一年來,DRAM 記憶體雖然價格較低,但卻不是呈現暴跌的情況。而且,Nand Flash 快閃記憶體也因近期的價格下跌,讓整體供過於求的情況也所減緩。不過,在外在因素環境影響下,整體記憶體市場將在 2019 年第 1 季再下修。

SK 海力士進一步表示,就 DRAM 來說,2019 年上半年市場將對伺服器需求的減少,也使得 DRAM 因短缺的情況獲得紓解,使得價格有調降的空間。至於,Nand Flash 快閃記憶體方面,2018 年第 3 季的價格已經跌回 2016 年的價格帶,也就是回到近兩年價格大漲前的價位。加上 2019 年還有進一步下修的機會,所以為了因應這樣的情況,SK 海力士也預計進行相關的措施來面對。

首先,將計劃調整設備投資和產能,以應對價格下跌。這部分包括將在 2019 年第 1 季末將開始量產 Nand Flash 快閃記憶體的 M15 工廠,以降低 SK 海力士對 DRAM 的依賴。而位於中國無錫的 C2 工廠,也將把原來 2y(20nm)和 2z(20nm)的 DRAM 生產製程,優化成 1xnm(10nm 後期)的產品,以降低生產成本,並將在 2019 年第 2 季量產。至於,以生產 Nand Flash 快閃記憶體為主的 M11 工廠,則將把 2D Nand Flash 轉換為生產 3D Nand Flash,也是因為就生產成本來進行的考量。

除了相關產能與製成的變化之外,SK 海力士還表示,未來將進一步縮減知本支出,並且每一季視狀況加以檢討。因為,就目前的情況看來,中美貿易大戰將會影響中國品牌手機商在 2018 年第 4 季到 2019 年的需求,加上英特爾處理器短缺的情況,將衝擊個人電腦未來的市場發展。不過,這樣的情況有機會在 2019 年下半年有所改善。因此,SK 海力士也將會密切觀察。

(首圖來源:Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0)