中國 NAND Flash 產業最快一年多後衝擊南韓相關企業

作者 | 發布日期 2018 年 11 月 06 日 19:10 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經 follow us in feedly


根據韓國科技媒體《DDaily》的報導指出,南韓半導體業界人士透露,相較 DRAM 市場,來自中國的 NAND Flash 快閃記憶體製造商威脅已近在眼前。雖然, DRAM 也必須持續保持注意力,但是目前中國的 DRAM 企業要想對南韓的相關企業造成影響還很難,尤其是在近期美國政府出重手制裁中國的 DRAM 製造商福建晉華之後。相對來說,NAND Flash 快閃記憶體要影響南韓企業,目前可能只剩一年多的時間就看得到。

報導指出,布局中國市場的南韓半導體設備企業相關人士指出,先前設備業界對中國記憶體市場的期待很大,但是最近這樣的期待感已經消失。對此,該人士解釋指出,DRAM 不僅很難討論其量產時期,最近還因為美國的制裁,因此暫時排除了 DRAM 對南韓企業的影響。

但是在 NAND Flash 快閃記憶體,一方面長江存儲已經加快腳步,預計 2019 年第 4 季將量產 64 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體。另一方面,64 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體雖然開始量產,但預計其占比不會很大,因為長江存儲主要目標,是在於快速進入 128 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體的量產。而且,預計到 2019 年第 3 季,量產的確切時間就將會出現輪廓。

整體看來,隨著中國的 DRAM 產業受貿易戰的影響,未來發展變得難以預測,另一方面紫光集團正在加速 NAND Flash 快閃記憶體的開發,日前紫光集團才宣布投入 240 億美元,預計在成都建造新的基地,這也意味著紫光集團進入NAND Flash 快閃記憶體市場已經到達最後的關鍵時刻。此外,紫光集團目前沒有出現訴訟問題,NAND Flash 快閃記憶體也和軍事敏感問題沾不上邊,技術難度也相對較小,發展的阻力不多,因此前進速度也會加快,使得為些南韓業者的時間差距也逐漸縮小中。

(首圖來源:三星官網)