半導體資本支出今年可望增 15%，2019 年恐減 12%

今年半導體業資本支出可望首度突破 1,000 億美元大關，達 1,071 億美元，將增加 15%，研調機構 IC Insights 預期，明年半導體資本支出可能趨緩，將減少 12%。

IC Insights 預期，三星（Samsung）今年資本支出可能比去年的 242 億美元減少，不過，仍將維持在 226 億美元高檔水準，還是會居全球半導體業之冠。

三星近兩年資本支出合計將高達 468 億美元規模，IC Insights 表示，除三星大舉支出，SK 海力士（Hynix）等競爭對手支出也相當積極，已造成 3D 儲存型快閃記憶體（NAND Flash）產能過剩。

IC Insights 指出，SK 海力士今年半導體資本支出可能增加 58%，增加的支出將主要集中在南韓的 3D NAND Flash 廠與中國無錫的動態隨機存取記憶體（DRAM）廠。

IC Insights 說，當前動態隨機存取記憶體（DRAM）市場疲軟，可能延續到明年上半年，三星、SK 海力士與美光（Micron）3 大 DRAM 供應商的資本支出，可能從 2018 年的 454 億美元，下滑到 2019 年的 375 億美元，減少17%。

IC Insights 預期，明年整體半導體業資本支出可能較今年減少 12%；其中，三星、英特爾（Intel）、SK 海力士、台積電與美光 5 大廠明年資本支出將減少 14%，其餘的半導體廠明年資本支出減少幅度可能較小，將減少約 7%。

（作者：張建中；首圖來源：shutterstock）