SEMI:2019 年全球晶圓廠投資將衰退 8%

作者 | 發布日期 2018 年 12 月 18 日 12:45 | 分類 晶片 , 記憶體 , 財經 follow us in feedly


SEMI 報告分析,今年全球晶圓廠投資金額將下修至成長 10%,明年下修至衰退 8%。記憶體價格下跌與美中貿易戰影響公司投資計畫改變,是晶圓廠資本投資快速下滑兩大主因。

根據國際半導體產業協會(SEMI)公布全球晶圓廠預測報告(World Fab Forecast Report),今年與 2019 年全球晶圓廠設備投資金額將下修,今年的投資金額將較 8 月時預測成長 14%,下修至成長 10%;2019 年投資金額更將從原先預測的成長 7%,下修至衰退 8%。

SEMI 指出,在今年 8 月時綜合收集分析全球超過 400 間晶圓廠主要投資計畫後,預測今年下半年到 2019 上半年,晶圓廠投資金額將呈現下滑態勢。有鑑於近期市場情勢,下滑幅度恐將較原先預期更為劇烈。

報告指出,今年下半年及 2019 上半年晶圓設備銷售金額分別將下滑 13 及 16 個百分點,直到 2019 下半年才有望出現轉圜。

SEMI 台灣區總裁曹世綸表示,記憶體價格下跌與美中貿易戰之下,導致公司投資計畫改變,是晶圓廠資本投資快速下滑兩大主因,其中又以先進記憶體製造商、中國晶圓廠及 28 奈米或以上成熟製程業者的資本支出縮減,影響全球市場最劇。

其中在記憶體部分,SEMI 指出,繼今年初 NAND 型快閃記憶體價格急遽下滑後,動態隨機存取記憶體(DRAM)價格也在第四季鬆動,連兩年的 DRAM 盛世恐將結束。存貨調整及中央處理器(CPU)產量不足,將導致更劇烈的價格滑動。

SEMI 指出,記憶體業者快速反應市場情況,並減少資本支出,暫緩已訂購設備出貨。NAND 快閃記憶體相關投資,甚至將出現兩位數的衰退。

SEMI 修正先前記憶體資本支出將成長 3% 的預測,預估 2019 年整體記憶體資本支出將下滑 19%,其中 DRAM 下滑最劇烈,下滑幅度達 23%,3D NAND 記憶體下滑 13%。

以地區來看,SEMI 指出,中國及南韓是投資金額下滑幅度最大兩個地區。

在中國市場,原因包括記憶體市場、美中貿易緊張關係及建廠計畫延宕等,包括 SK 海力士(SK Hynix)、GLOBALFOUNDRIES、聯電、中芯國際等半導體製造業者,暫緩在中國的投資力道,福建晉華案也使 DRAM 投資計畫暫停。

雖然晶圓預測報告中指出大部分記憶體廠計畫減少資本投資,但美光(Micron)例外。SEMI 預估 2019 年美光將投資約 105 億美元,相較今年的 82 億美元投資金額提高約 28%。投資主要計畫用於擴張及升級既有廠房設施。

SEMI 指出,在記憶體以外包括光電、晶圓代工、類比及混和訊號 IC、微控制器及處理器等其他領域,資本投資力道將持續。

(作者:鍾榮峰;首圖來源:shutterstock)

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