不畏半導體逆風來襲,SK 海力士動工興建第 7 座半導體工廠

作者 | 發布日期 2018 年 12 月 20 日 17:20 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體 line share follow us in feedly line share
不畏半導體逆風來襲,SK 海力士動工興建第 7 座半導體工廠


隨著 NAND Flash 快閃記憶體及 DRAM 價格不斷下跌,2019 年記憶體市場將迎接逆風。而為了應付降價導致的損失,包括記憶體大廠三星、SK 海力士(SK Hynix)及美光都計劃減少資本支出。不過,降低成本支出並不意味著他們不再建設工廠了,就在本週,SK Hynix 正式開工建設第 7 座半導體工廠──M16 廠,總投資不低於 15 兆韓圜(約 133 億美元)。雖然還沒確定最終生產 NAND Flash 還是 DRAM,但是這座晶圓廠確定將會採用最先進的 EUV 光刻技術。