隨著 NAND Flash 快閃記憶體及 DRAM 價格不斷下跌，2019 年記憶體市場將迎接逆風。而為了應付降價導致的損失，包括記憶體大廠三星、SK 海力士（SK Hynix）及美光都計劃減少資本支出。不過，降低成本支出並不意味著他們不再建設工廠了，就在本週，SK Hynix 正式開工建設第 7 座半導體工廠──M16 廠，總投資不低於 15 兆韓圜（約 133 億美元）。雖然還沒確定最終生產 NAND Flash 還是 DRAM，但是這座晶圓廠確定將會採用最先進的 EUV 光刻技術。
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不畏半導體逆風來襲，SK 海力士動工興建第 7 座半導體工廠 |
作者
Atkinson |
發布日期
2018 年 12 月 20 日 17:20 |
分類
國際貿易
, 會員專區
, 記憶體
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隨著 NAND Flash 快閃記憶體及 DRAM 價格不斷下跌，2019 年記憶體市場將迎接逆風。而為了應付降價導致的損失，包括記憶體大廠三星、SK 海力士（SK Hynix）及美光都計劃減少資本支出。不過，降低成本支出並不意味著他們不再建設工廠了，就在本週，SK Hynix 正式開工建設第 7 座半導體工廠──M16 廠，總投資不低於 15 兆韓圜（約 133 億美元）。雖然還沒確定最終生產 NAND Flash 還是 DRAM，但是這座晶圓廠確定將會採用最先進的 EUV 光刻技術。
