DRAM 價格直直落,DRAM 廠陸續導入 EUV 降低成本以提升獲利

作者 | 發布日期 2019 年 06 月 19 日 10:50 | 分類 國際貿易 , 材料、設備 , 記憶體 follow us in feedly


根據國外媒體報導,曾表示目前製程技術還用不上 EUV 技術的各大 DRAM 廠在目前 DRAM 價格直直落,短期看不到止跌訊號的情況下,也頂不住生產成本的壓力,開始考量導入 EUV 技術,以降低生產成本。南韓三星將在 2019 年底前正式導入。

報導指出,為了應付半導體製程微縮,因此有了 EUV 設備與技術。使用 EUV 技術後,除了同樣製程的情況下,可將電晶體密度提升,同頻率下功耗降低,且因為製程微縮,使得單位位元數產出增加,降低光罩用量,如此就可降低成本。不過 EUV 設備昂貴,過去 DRAM 價格居高不下的時期,各家 DRAM 廠商擴大產能都來不及,暫時不考慮目前製程導入 EUV 技術。但市況大不如前,導致想法改變。

根據市場研究調查單位 DRAMeXchange 的研究資料顯示,當前 DRAM 市場供給過剩導致價格不斷下跌的情況持續。對此,DRAM 廠雖然儘量減產,但仍然無法讓價格明顯止跌。因此,唯一能維持獲利的方法就是微縮製程來降低單位生產成本。不過,DRAM 製程向 1z 奈米或 1α 奈米製程推進的難度愈來愈高,隨著 EUV 量產技術獲得突破,將可有效降低 DRAM 的生產成本。

報導指出,基於以上的原因,南韓三星預期在 2019 年 11 月開始量產採用 EUV 技術的 1z 奈米 DRAM,量產初期將與三星晶圓代工共用 EUV 設備,初期使用量雖不大,但卻等於宣示 DRAM 微影技術會開始向 EUV 的方向發展。至於,SK 海力士及美光也已經表明,現階段開始評估導入 EUV 技術的需求。對此,業界預期將,可能在 1α 奈米或 1β 奈米世代開始真正導入。

報導進一步表示,三星的 1z 奈米屬於第三代 10 奈米級的製程,10 奈米級的製程並不是 10 奈米製程,而是由於 20 奈米製程節點之後的 DRAM 製程升級變得困難,所以 DRAM 記憶體製程的線寬指標不再那麼精確,於是有了 1x 奈米、1y 奈米及 1z 奈米等製程節點之分。簡單來說,1x 奈米製程相當於 16 到 19 奈米,1y 奈米製程相當於 14 到 16 奈米,1z 奈米製程則是大概為 12 到 14 奈米製程的等級,而在這之後還有 1α 及 1β 奈米製程節點。

由於,先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢,在台積電 2019 第 2 季量產內含 EUV 技術的 7 奈米加強版製程,並且獲得客戶訂單之後,競爭對手三星的晶圓代工也採用 EUV 量產 7 奈米製程,英特爾則是預期 2021 年量產的 7 奈米製程將會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5 奈米或 3 奈米節點之後,預期對 EUV 的需求也會越來越大,屆時 EUV 設備已將成為半導體軍備競賽中不可或缺的要項。

(首圖來源:shutterstock)