日韓貿易戰推現貨記憶體反彈,合約市場仍未撼動

作者 | 發布日期 2019 年 08 月 16 日 11:10 | 分類 記憶體 , 財經 follow us in feedly


6 月東芝停電事件,加上 7 月開始日韓貿易戰延燒,推動了已跌到虧損流血的 NAND Flash 現貨價率先反彈,結束了 2 年多來的空頭走勢,此波記憶體價格由 NAND Flash 先起漲,接下來日韓貿易戰加入下,DRAM 在 7 月份現貨價也開始反彈。

整體來看,對市場價格較敏感的通路商開始拉貨,推動部分比較受惠於現貨市場的記憶體模組廠商營運也明顯反彈;但在合約市場部分,由於合約市場走向仍是取決於整體供需狀況,又因日韓貿易戰管控的半導體材料並非完全禁止出口,再加上需求面沒有太大改善,所以合約市場是否可以開始開啟一波多頭走勢則仍待觀察,日韓貿易戰若雙方關係更趨於緊張導致實質影響供給,才較有機會助整體市況改善。

現貨市場 DRAM / NAND Flash 價格反彈

由於東芝停電事件影響所及,造成此波 NAND 價格正式於 6 月落底反彈,再加上供給端一直有受到控制,近期又加上 SK Hynix 宣布減產,推動現貨市場率先反彈,此波反彈以擁有較多現貨的記憶體模組廠商威剛率先發難,甚至宣布管控出貨,採用優先出貨大客戶的方式來控管,威剛董事長陳立白認為,這一波記憶體的反彈不會是暫時性短暫的,下游的庫存在這一波空頭後都已壓到很低,現在則回頭再來備安全庫存。事實上,DRAM 現貨價在 8 月份仍是向上走勢。

DRAM 現貨價自底部到最高峰價約反彈 5 成水準,陳立白表示,短期內日韓貿易戰紛擾不易解決,恐影響南韓記憶體廠全產能量產,加上上游原廠也紛紛宣布減產或延後資本支出和設備投資,這一波反彈格局可達 11 月。

而在 NAND 的部分,均價於 2017 年 11 月起迄今已歷經相當長時間的跌勢,價格已貼近廠商現金成本,且已長期壓在不合理的流血價,相對在東芝跳電影響下,估約影響全球 10% 的 NAND 產能,推動 NAND Flash 主要廠商都在第一時間同步調漲價格,8 月現貨價格持續反彈。

研調單位仍保守看合約市場

對於日韓貿易戰的影響,研調機構 TrendForce 表示,日韓原物料事件雖帶動 DRAM 現貨市場價格出現反彈,但現貨市場的規模小,無法有效去化原廠的高庫存,加上終端需求仍然疲軟,7 月合約價格持續走跌。

宇瞻總經理張家騉則認為,合約市場占整個 DRAM 9 成的量,以目前即便日本把南韓踢出貿易白名單,也只是延後出貨日本的半導體關鍵材料,不代表會斷鏈,但以合約價在往下走的狀況來看,目前堆庫存都是不智之舉。

TrendForce 表示,現階段並未因貿易戰而阻斷了記憶體的生產,而合約價的議定在於供需的基本面,在產出目前尚未受到影響的情況下,合約市場並未見到支撐價格的明顯力道,未來整體合約市場記憶體的走勢,仍要觀察貿易戰的延燒狀況,若真的動搖到生產,整體記憶體產業的供需則有機會較為改善。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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