美光宣布量產第 3 代 10 奈米級製程 DRAM,預測美光台中廠將設產線

作者 | 發布日期 2019 年 08 月 19 日 13:30 | 分類 國際貿易 , 手機 , 記憶體 follow us in feedly


根據國外科技媒體《Anandtech》的報導指出,日前美系記憶體大廠美光科技 (Micron) 正式宣布,將採用第 3 代 10 奈米級製程 (1z nm) 來生產新一代 DRAM。而首批使用 1z nm 製程來生產的 DRAM 將會是 16GB 的 DDR4 及 LPDDR4X 記憶體。對此,市場預估,美光的該項新產品還會在 2019 年底前,在美光位於台灣台中的廠區內建立量產產線。

報導指出,美光指出,與第 2 代 10 奈米級(1y nm)製程相比,美光的第 3 代 10 奈米級製程 (1z nm) DRAM 製造技術將使該公司能夠提高其 DRAM 的位元密度,從而增強性能,並且降低功耗。此外,以第 3 代 10 奈米級製程所生產新一代 DRAM,就同樣是 16 GB DDR4 的產品來比較,功耗較第 2 代 10 奈米級製程產品低 40%。另外,在 16 GB LPDDR4X DRAM 方面,1Z nm 製程技術將較 1y nm 製程技術的產品節省高達 10% 的功率。而且,由於 1z nm 製程技術提供的位元密度更高,這使得美光可以降低生產成本,未來使得記憶體更加便宜。

報導進一步指出,美光本次並沒有透露其 16 Gb DDR4 DRAM 的傳輸速度為何,但根據市場預計,美光的新一代 1z nm 製程 DRAM 記憶體將會符合 JEDEC 制定的官方標準規格。而首批使用美光新一代 1z nm 製程 16 GB DDR4 記憶體的設備將會是以桌上型電腦、筆記型電腦、工作站的高容量記憶體模組為主。

至於,在行動記憶體方面,根據美光公布的資料顯示,1z nm 製程的 16 GB LPDDR4X 記憶體的傳輸速率最高可達 4266 MT/s。此外,除了為高階智慧型手機提供高達 16 GB(8×16Gb)LPDDR4X 的 DRAM 模組外,美光還將提供基於 UFS 規格的多記憶體模組(uMCP4),其中內含 NAND Flash 和 DRAM。而美光針對主流手機的 uMCP4 系列產品將包括 64GB+3GB 至 256GB+8GB(NAND+DRAM)等規格。

雖然美光沒有透露其採用 1Z nm 技術的 16 Gb DDR4 和 LPDDR4X 記憶體將會在哪裡生產,不過市場分析師推測,美光其在日本廣島的工廠將會採用最新的製造技術開始批量生產,而在此同時,也期待 2019 年底前在台灣台中附近的美光台灣晶圓廠將開始營運 1z nm 製程技術的生產線。

(首圖來源:美光)