美光斥資台幣 4,000 億元在台擴產,1z nm DRAM 生產技術落腳中科

作者 | 發布日期 2019 年 08 月 26 日 10:15 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經 follow us in feedly


根據《經濟日報》報導,為了滿足未來在 5G 時代中包括人工智慧、物聯網、智慧駕駛等運用的需求,全球三大 DRAM 製造商之一的美光(Micron)將斥資超過台幣 4,000 億元,於台中中科廠區擴大產線。

報導指出,目前為在台灣投資最大外商的美光,這次再加碼投資台灣,是計劃在中科再興建 A3 及 A5 兩座廠房。其中,在 A3 廠房方面,預計 2020 年 8 月份完工,並且在第 4 季陸續導入試產最新的第 3 代 10 奈米級(1z nm)製程。至於,在第 2 期的 A5 廠房方面,美光則會依據屆時市場上的需求,逐步增加產能。據了解,目前規劃的月產能為 6 萬片。

對此,美光坦承目前在 A3 廠已進入興建階段,並且以擴建無塵室為主,而且還將將入包括桃園與台中中科前段晶圓廠的生產線,並進一步提升美光在台 DRAM 卓越中心的設備更新、技術升級。至於兩個廠的投資金額與其他細節規劃,美光則不方便透露。另外,除了產能的擴充之外,美光將進一步整併現有的組織架構,包括當前的 A1 及 A2 廠將直屬美光台灣董事長兼台中廠營運長徐國晉管轄,其他職務重疊的主管將進行優退。

事實上,美光日前就已經正式宣布開始量產第 3 代 10 奈米級(1z nm)製程 DRAM,而且市場人士也預計將會在台中中科廠區規劃產線生產。如今,證實該項訊息。而根據美光日前的表示,與第 2 代 10 奈米級(1y nm)製程相比,美光的第 3 代 10 奈米級(1z nm)製程技術將使該公司能夠提高其 DRAM 的位元密度,進而增強性能,並且降低功耗。

此外,以第 3 代 10 奈米級製程所生產新一代 DRAM,就同樣是 16GB DDR4 的產品來比較,功耗較第 2 代 10 奈米級製程產品低 40%。另外,在 16GB LPDDR4X DRAM 方面,1z nm 製程技術將較 1y nm 製程技術的產品節省高達 10% 的功率。而且,由於 1z nm 製程技術提供的位元密度更高,這使得美光可以降低生產成本,未來使得記憶體更加便宜。

美光這次的擴廠主因,除了看準未來 5G 時代的市場需求之外,另外就是在日韓貿易戰的狀況下,有可能使得南韓三星與 SK 海力士的生產遭受影響,導致市場的需求與價格的提升,逐步擺脫先前記憶體低檔的情況,因此才會大動作宣布擴廠。而擴產的當下,未來也預計美光將需要增加人手,進一步進行大規模徵才的動作。

(首圖來源:科技新報攝)