SK 海力士年底前量產 1Z 奈米製程 DRAM,2020 年正式供應市場

作者 | 發布日期 2019 年 10 月 21 日 16:30 | 分類 記憶體 , 財經 , 零組件 follow us in feedly


記憶體市場逐漸復甦當下,南韓記憶體大廠 SK 海力士於 21 日宣佈,開始開發適用 1Z 奈米製程的 10 奈米等 級16Gb DDR4 DRAM 記憶體。根據 SK 海力士的指出,相較於上一代 1Y 奈米製程的 10 奈米等級 DRAM,該產品的生產效率提高了 27%,並且可以在不用高價的 EUV 及紫外光刻技術的情況下進行生產,將具成本競爭力。

SK 海力士進一步指出,該款 1Z 奈米製程的 10 奈米等級 16Gb DDR4 DRAM 記憶體還可以穩定支援最高 3200Mbps 的資料傳輸速率,這會是 DDR4 規格內的最高速率。相關的使用功耗也顯著降低,與 1Y 奈米製程的 10 奈米等級 8Gb DRAM 相同容量模組比較,功耗約降低了 40%。

另外特別的是,該款 1Z 奈米製程的 10 奈米等級 16Gb DDR4 DRAM 記憶體適用前一代的生產技術,但是卻能使用從來沒使用過的新材料,如此以將 DRAM 運作時的關鍵要素靜電容量(Capacitance)最大化。此外,還引進了新的設計技術,進一步提生了運作時的穩定性。

SK 還強調,1Z 奈米製程的 10 奈米等級的 DDR4 DRAM 擁有業界最高水準的容量和速度,再加上優異的功耗狀況,將是最適合應用於高性能或高容量 DRAM 的客戶需來使用。根據規劃,SK 海力士將在 2019 年底前完成大量生產,並且從 2020 年開始正式對市場供應, 積極應對市場需求。

而除了 1Z 奈米製程的 10 奈米等級的 DDR4 DRAM 之外,SK 海力士目前還計畫針對下一代行動 DRAM LPDDR5 和 最高階 DRAM HBM3 等多項產品開始擴大使用 1Z 奈米製程的的10奈米等級技術。

(首圖來源:Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0)