根據市場調查研究機構《IC Insights》的預測，預計自 2020 年開始，全球半導體企業將開始進行擴產，新增生產設備及產線之後，2021 年半導體產業新增的產能可望創下歷史新高。
《IC Insights》在最新研究報告中指出，預計全球半導體產業將在 2020 年增加 10 條 12 吋晶圓的產線。在此基礎上，預計到 2024 年為止，半導體產能年平均成長率將來到 5.9%，相較 2014 年到 2019 年的過去 5 年時間，全球半導體產能的年均增加率達到 5.1% 相比，成長率微幅上升。
報告指出，根據南韓媒體報導，為避免 2017 年及 2018 年半導體產業中記憶體供應不足的狀況再次發生，相關的記憶體企業開始計畫增加產線。不過，因為 2019 年半導體產業的狀況不佳，全球半導體設備產能利用率僅 86%，遠低於 2019 年的 94%，這使得相關導體企業將擴產計畫延遲到 2020 年展開。
而雖然，半導體企業延遲擴產計畫，但外界普遍認為，2020 年跟 2021 年將完成增加產線的部分。根據國際半導體產業協會（SEMI）近期指出，預期 2020 年全球半導體設備的總投資規模將來到為 580 億美元的金額，相較 2019 年的金額增加 了2%。而《IC Insights》進一步分析，以 8 吋晶圓來計算，2020 年新增的產能將相當於 1,790 萬片 8 吋晶圓，若產線擴產計畫順利進行，則到了 2021 年，新增產能有望達到 2,080 萬片 8 吋晶圓。
報告中還點名，包括中國長江存儲、華虹半導體等中國企業以及南韓三星電子、SK 海力士等記憶體廠商目前都有擴建新產線的計畫。以三星為例，目前正在增加中國西安工廠、南韓平澤工廠的 3D NAND Flash 快閃記憶體的投資，而 SK 海力士目前也正積極建立清州 M15 工廠的產線。至於中國的長江存儲也於 9 月時宣布，其 64 層 3D NAND Flash 快閃記憶體將進入量產階段。而這些擴展的狀況，都預計將會提升 2020 年到 2021 年的記憶體產量提升。
(首圖來源:三星)
