因應記憶體市場復甦,各廠商積極擴產至 2021年創產能歷史新高

作者 | 發布日期 2019 年 12 月 23 日 16:45 | 分類 國際貿易 , 晶圓 , 記憶體 follow us in feedly


根據市場調查研究機構《IC Insights》的預測,預計自 2020 年開始,全球半導體企業將開始進行擴產,新增生產設備及產線之後,2021 年半導體產業新增的產能可望創下歷史新高。

《IC Insights》在最新研究報告中指出,預計全球半導體產業將在 2020 年增加 10 條 12 吋晶圓的產線。在此基礎上,預計到 2024 年為止,半導體產能年平均成長率將來到 5.9%,相較 2014 年到 2019 年的過去 5 年時間,全球半導體產能的年均增加率達到 5.1% 相比,成長率微幅上升。

報告指出,根據南韓媒體報導,為避免 2017 年及 2018 年半導體產業中記憶體供應不足的狀況再次發生,相關的記憶體企業開始計畫增加產線。不過,因為 2019 年半導體產業的狀況不佳,全球半導體設備產能利用率僅 86%,遠低於 2019 年的 94%,這使得相關導體企業將擴產計畫延遲到 2020 年展開。

而雖然,半導體企業延遲擴產計畫,但外界普遍認為,2020 年跟 2021 年將完成增加產線的部分。根據國際半導體產業協會(SEMI)近期指出,預期 2020 年全球半導體設備的總投資規模將來到為 580 億美元的金額,相較 2019 年的金額增加 了2%。而《IC Insights》進一步分析,以 8 吋晶圓來計算,2020 年新增的產能將相當於 1,790 萬片 8 吋晶圓,若產線擴產計畫順利進行,則到了 2021 年,新增產能有望達到 2,080 萬片 8 吋晶圓。

報告中還點名,包括中國長江存儲、華虹半導體等中國企業以及南韓三星電子、SK 海力士等記憶體廠商目前都有擴建新產線的計畫。以三星為例,目前正在增加中國西安工廠、南韓平澤工廠的 3D NAND Flash 快閃記憶體的投資,而 SK 海力士目前也正積極建立清州 M15 工廠的產線。至於中國的長江存儲也於 9 月時宣布,其 64 層 3D NAND Flash 快閃記憶體將進入量產階段。而這些擴展的狀況,都預計將會提升 2020 年到 2021 年的記憶體產量提升。

(首圖來源:三星)