南韓三星華城廠區驚傳跳電,將影響 DRAM、NAND Flash 及 LSI 部分業務

作者 | 發布日期 2020 年 01 月 01 日 12:15 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 記憶體 follow us in feedly


就在大家歡喜慶祝 2020 年元旦之際,南韓的半導體產業卻傳來了意外事件!根據外電的報導,南韓半導體廠商三星電子旗下位於華城的工廠發生了跳電事故,影響了 DRAM、NAND Flash,以及採用 EUV 技術的系統半導體生產部分。

根據 外電報導指出,三星電子位於南韓華城的工廠,在 2019 年 12 月 31 日發生了短暫的跳電情況,使得華城廠區內的部分工廠短暫停產。整個跳電的時間約 1 分鐘,之後立即恢復了供電,目前三星正在積極的進行產線檢查,在了解受損程度之後,以便在最短時間內恢復生產。

據了解,這次三星電子華城廠區的跳電事件,影響的是生產 DRAM 的 Line 12 產線,以及生產 Nand Flash 的 Line 13 產線,另外還有以 EUV(extreme ultraviolet)技術進行生產的 LSI(large-scale integration)部分。根據市場人士估計,由於是生產 DRAM 的 Line 12 產線,以及生產 NAND Flash 的 Line 13 產線都屬於製程比較落後的產線,因此受影響較大的部分的將會是在以 EUV 來生產系統半導體的領域,整體損失金額可能達到 3,000 萬美元。

至於,會發生跳電的原因目前並不清楚。只是,以台灣的晶圓廠為例,在供電方面多半都設計有兩套迴路,分別由兩個不同的變電所來供電,以降低因意外而發生跳電的風險。不過,如果發生大規模的天然災害,例如地震而導致電廠停止運轉的情況,這部分就另當別論。因此,這次南韓三星華城廠區在無發生重大天然災害情況下,卻發生跳電的情況,這個過程就必須好好地確認。

至於,這次的跳電事件是否會影響市場上 DRAM 及 NAND Flash 的價格,就如同 2019 年 6 月,日本記憶體大廠東芝在三重縣四日市的廠區發生跳電,造成市場供貨衝擊的狀況,目前還不得而知。不過,日前三星才宣布,將在未來 10 年內投資超過千億美元以發展系統半導體業務,已達成未來登上全球系統半導體業務龍頭的計畫,會不會因為這樣的斷電事件而受到影響,未來還需要進一步的觀察。

(首圖來源:Flickr/Jamie McCall CC BY 2.0)