南韓三星華城廠區驚傳跳電，將影響 DRAM、NAND Flash 及 LSI 部分業務
作者 | 發布日期 2020 年 01 月 01 日 12:15 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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南韓三星華城廠區驚傳跳電，將影響 DRAM、NAND Flash 及 LSI 部分業務

就在大家歡喜慶祝 2020 年元旦之際，南韓的半導體產業卻傳來了意外事件！根據外電的報導，南韓半導體廠商三星電子旗下位於華城的工廠發生了跳電事故，影響了 DRAM、NAND Flash，以及採用 EUV 技術的系統半導體生產部分。

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