集邦:三星跳電預期衝擊小,惟記憶體類股 2 日早盤開始反映

作者 | 發布日期 2020 年 01 月 02 日 10:15 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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集邦:三星跳電預期衝擊小,惟記憶體類股 2 日早盤開始反映

針對 2019 年 12 月 31 日南韓三星電子於華城廠區所發生的跳電事件,整體影響到 DRAM、NAND Flash 及 LSI 方面採用 EUV 技術來生產系統半導體的部分,分析機構指出,在跳電時間較短的情況下,雖然影響縮小到可控制的範圍內。但是,其真正的損失數字仍有待三星在進行完產線檢查後進一步公布。不過,相關的市場影響已開始發酵,2 日台股早盤,相關記憶體族群都已有股價表現。

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