針對 2019 年 12 月 31 日南韓三星電子於華城廠區所發生的跳電事件，整體影響到 DRAM、NAND Flash 及 LSI 方面採用 EUV 技術來生產系統半導體的部分，分析機構指出，在跳電時間較短的情況下，雖然影響縮小到可控制的範圍內。但是，其真正的損失數字仍有待三星在進行完產線檢查後進一步公布。不過，相關的市場影響已開始發酵，2 日台股早盤，相關記憶體族群都已有股價表現。
三星電子位於南韓華城的工廠，在 2019 年 12 月 31 日發生了短暫的跳電情況，使得華城廠區內的部分工廠短暫停產。整個跳電時間約 1 分鐘，之後立即恢復供電，目前三星正在積極的進行產線檢查，在了解受損程度之後，以便在最短時間內恢復生產。集邦科技表示，三星華城廠區短暫停電事件因為停電時間小於 3 分鐘，廠區的 UPS 不斷電系統適時給予支援而避免大範圍的衝擊，但正常的工廠作業流程仍需停機檢查，初步確認影響有限。
集邦科技進一步表示，三星華城廠區發生跳電的 NAND Flash 工廠為 Line 12，主要以生產 2D NAND 為主，並非主流 3D NAND 產品。除此之外，該廠區也有 DRAM 生產（Line 13 部分）與 LSI 生產（Line 11 與部分 Line 13）。但由於 Line 13 目前只有 20 奈米製程，並非先進的 1X / 1Y 奈米製程。至於在採用 EUV 技術來生產系統半導體的 LSI 代工部分，主要以 CMOS 產品為主，加上跳電時間短、不斷電系統順利銜接，雖然仍需停機檢查，但應可迅速恢復。
另外，發生跳電的原因目前並不清楚。只是，以台灣的晶圓廠為例，在供電方面多半都設計有兩套迴路，分別由兩個不同的變電所來供電，以降低因意外而發生跳電的風險。不過，如果發生大規模的天然災害，例如地震而導致電廠停止運轉的情況，這部分就另當別論。因此，這次南韓三星華城廠區在無發生重大天然災害情況下，卻發生跳電的情況，這個過程預計三星方面也將會好好地確認。最後，三星內部仍在做災後評估，真正的損失金額經過預估將會由公司正式公布。
而雖然該次的跳電事件，相較 2019 年 6 月，日本記憶體大廠東芝在三重縣四日市的廠區發生跳電，造成市場供貨失衡的狀況似乎要來得小，不過在記憶體市場產生漣漪效應似乎開始發生。2 日台股早盤，相關記憶體類股，包括記憶體製造的南亞科、旺宏、華邦電，記憶體模組的威剛、宇瞻、品安，以及記憶體主控晶片大廠群聯等都以紅盤開出，盤中更是開高走高，平均都有 2% 到 6% 不等的漲幅。
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