三星宣布推出 HBM Flashbolt DRAM,2020 年中投產 作者 Atkinson | 發布日期 2020 年 02 月 04 日 17:30 | 分類 GPU , Samsung , 國際貿易 | edit Loading... Now Translating... 南韓記憶體大廠三星宣布,4 日正式推出 Flashbolt 的 HBM(高寬頻)DRAM。這是第 3 代 HBM 技術,未來將用於超級電腦、GPU 和各種 AI 應用所需的高性能計算。 文章看完覺得有幫助,何不給我們一個鼓勵 請我們喝杯咖啡 想請我們喝幾杯咖啡? 每杯咖啡 65 元 x 1 x 3 x 5 x 您的咖啡贊助將是讓我們持續走下去的動力 總金額共新臺幣 0 元 《關於請喝咖啡的 Q & A》 留給我們的話 取消 確認 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: dram , SK 海力士 , 三星 , 半導體 , 記憶體