三星宣布推出 HBM Flashbolt DRAM，2020 年中投產 作者 Atkinson | 發布日期 2020 年 02 月 04 日 17:30 | 分類 GPU , Samsung , 國際貿易 | edit 南韓記憶體大廠三星宣布，4 日正式推出 Flashbolt 的 HBM（高寬頻）DRAM。這是第 3 代 HBM 技術，未來將用於超級電腦、GPU 和各種 AI 應用所需的高性能計算。 此文章為會員限定，登入即可閱讀全文 會員登入 立刻 加入會員 享有暢讀無阻 <a href='//www5.technews.tw/www/delivery/ck.php?n=ae7f5990&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='//www5.technews.tw/www/delivery/avw.php?zoneid=63&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=ae7f5990' border='0' alt='' /></a> 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知，時時更新 科技新報粉絲團 訂閱免費電子報 關鍵字: dram , SK 海力士 , 三星 , 半導體 , 記憶體
