三星宣布推出 HBM Flashbolt DRAM,2020 年中投產

作者 | 發布日期 2020 年 02 月 04 日 17:30 | 分類 GPU , Samsung , 國際貿易 follow us in feedly


南韓記憶體大廠三星宣布,4 日正式推出 Flashbolt 的 HBM(高寬頻)DRAM。這是第 3 代 HBM 技術,未來將用於超級電腦、GPU 和各種 AI 應用所需的高性能計算。

三星先前發表上一代 HBM Aquabolt DRAM 後一年內,於 Nvidia 2019 年 GTC(GPU 技術大會)首次宣布 Flashbolt HBM DRAM,這項儲存技術預計用於 AMD 和 Nvidia 即將推出的高性能 GPU。

三星第 3 代 HBM 技術,HBM2E Flashbolt DRAM 可達到每針腳最高 3.2Gbp/s 的最大數據傳輸速度,較前一代最高 2.4Gbps 的最大數據傳輸速度提升 33%。三星解釋,就是 1 秒內能傳輸 82 部高畫質影片。另外,透過緩衝晶片頂部垂直堆疊的 8 層 10 奈米級(1y)16Gb DRAM,可達 16GB 最大容量。該 HBM2E 封裝是以 40,000 多個直通矽通孔(TSV)微型凸塊的精確排列互連,每個 16Gb 晶片均包含 5,600 多個此類微小孔。

三星指出,在超頻環境下,HBM2E Flashbolt DRAM 可提供每針高達 4.2Gb/s 數據傳輸速率,和 538GB/s 的 DRAM 頻寬。三星表示,這些 DRAM 晶片將於 2020 上半年投產。目前除三星外,南韓另一家記憶體大廠 SK Hynix 也正在積極開發 HBM2E 的 DRAM 產品,預計也是 2020 年投產,使 HBM2E DRAM 產品市場競爭加劇。

(首圖來源:三星)