南韓記憶體大廠三星宣布，4 日正式推出 Flashbolt 的 HBM（高寬頻）DRAM。這是第 3 代 HBM 技術，未來將用於超級電腦、GPU 和各種 AI 應用所需的高性能計算。
三星先前發表上一代 HBM Aquabolt DRAM 後一年內，於 Nvidia 2019 年 GTC（GPU 技術大會）首次宣布 Flashbolt HBM DRAM，這項儲存技術預計用於 AMD 和 Nvidia 即將推出的高性能 GPU。
三星第 3 代 HBM 技術，HBM2E Flashbolt DRAM 可達到每針腳最高 3.2Gbp/s 的最大數據傳輸速度，較前一代最高 2.4Gbps 的最大數據傳輸速度提升 33%。三星解釋，就是 1 秒內能傳輸 82 部高畫質影片。另外，透過緩衝晶片頂部垂直堆疊的 8 層 10 奈米級（1y）16Gb DRAM，可達 16GB 最大容量。該 HBM2E 封裝是以 40,000 多個直通矽通孔（TSV）微型凸塊的精確排列互連，每個 16Gb 晶片均包含 5,600 多個此類微小孔。
三星指出，在超頻環境下，HBM2E Flashbolt DRAM 可提供每針高達 4.2Gb/s 數據傳輸速率，和 538GB/s 的 DRAM 頻寬。三星表示，這些 DRAM 晶片將於 2020 上半年投產。目前除三星外，南韓另一家記憶體大廠 SK Hynix 也正在積極開發 HBM2E 的 DRAM 產品，預計也是 2020 年投產，使 HBM2E DRAM 產品市場競爭加劇。
（首圖來源：三星）
