中芯國際指第二代 FinFET 製程將比前代效能提升 20%,功耗降低 60%

作者 | 發布日期 2020 年 06 月 08 日 18:40 | 分類 中國觀察 , 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


由於中國境內最大晶圓代工廠中芯國際即將於創科版公開上市,並預計募資約 200 億人民幣 (約新台幣 820 億元)。而針對中芯國際提出的公開上市申請,中國上海證交所也提出相關的問題詢問。其中,針對在先進製程研發事項的問題,中芯國際回答指出,目前旗下的 14 奈米 FinFET 製程雖已進入量產階段,但還處於初期的市場布局階段,因此市占率仍低。而下一代的 FinFET 製程,目前已進入客戶導入階段,與第一代相比有望在性能上提高約 20%,功耗降低約 60%。

根據中國媒體報導,中芯國際在公開上市說明說中表示,中芯國際此次計畫發行不超過 16.86 億股新股,預計募資 200 億人民幣,計劃分別投入將採用中芯國際 14 奈米 FinFET 製程,由中芯南方所建造中的 12 吋晶圓廠──SN1 計畫 80 億元,先進及成熟製程研發計畫儲備資金 40 億元、以及補充流動資金 80 億元。其中,興建 12 吋晶圓廠的 SN1 計畫為中國第一條 14 奈米 FinFET 製程,及其以下先進製程的生產線,規劃月產能為 3.5 萬片,目前已建成月產能約 6,000 片。

報導指出,中芯國際表示,14 奈米 FinFET 製程的晶圓代工產能正處於市場初期布局階段。因此,現階段在全球的市占率相對較低。不過第一代 14 奈米 FinFET 製程已進入量產階段,且具有一定的性價比,目前已同眾多客戶開展合作,預計產能利用率可以穩定保持在較高水準。另外,14 奈米 FinFET 製程主要應用於 5G、人工智慧、智慧駕駛、高效能運算等新興領域,未來具有其發展前景。而且,隨著相關應用領域持續發展,先進製程的市場需求將持續上升。因此,在市場佔有率將不斷擴大的情況下,也將成為晶圓代工市場新的成長點。

至於,在下一代節點製程的開發上,中芯國際指出,第二代 FinFET 技術目前已進入客戶導入階段,與第一代相比有望在性能上提高約 20% ,功耗降低約 60%。另外,為加強在先進製程方面的技術實力,中芯國際也將不斷加大先進製程的研發投入。其中,之前完成了 28 奈米 HKC+ 製程、第一代 14奈米 FinFET 製程的研發和量產。未來,第二代 14 奈米 FinFET 製程持續發展下,加上不斷拓展成熟製程應用平台,這都使得中芯國際在研發費用率將高於其他同類型公司。

報導進一步引用中芯國際的說法表示,目前第一代 14 奈米 FinFET 製程處於產能和產量穩定提升階段,因此該產品毛利率為正。不過,因為未來將藉由第一代 14 奈米 FinFET 製程進行生產的中芯南方 SN1 晶圓廠產線仍處於剛開始的興建階段,尚未開始折舊,使得當前相關營運及財務數據參考度較低。至於 28 奈米產品毛利率當前為負值,主要原因包括產業供求失衡的衝擊下,全球 28 奈米製程市場出現產能過剩的狀況,價格相較於 2017 年平均價格都有所下滑,且相關的產線也面臨較高的折舊壓力。

而在 SN1 12 吋晶圓廠生產線的興建計畫上,中芯國際也指出,雖然預計量產後將會貢獻額外的先進製程收入,但同時帶來較高的折舊成本壓力。而隨著 14 奈米及下一代製程的產線投產、擴產,屆時公司一定時期內會面臨較大的折舊壓力,使得該部分業務毛利率也可能會低於業界的平均水準,使得經濟效益低於預期,甚至產生較大比例虧損的風險。

(首圖來源:中芯國際)