中芯國際指第二代 FinFET 製程將比前代效能提升 20%,功耗降低 60%

作者 | 發布日期 2020 年 06 月 08 日 18:40 | 分類 中國觀察 , 晶圓 , 晶片 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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中芯國際指第二代 FinFET 製程將比前代效能提升 20%,功耗降低 60%

由於中國境內最大晶圓代工廠中芯國際即將於創科版公開上市,並預計募資約 200 億人民幣 (約新台幣 820 億元)。而針對中芯國際提出的公開上市申請,中國上海證交所也提出相關的問題詢問。其中,針對在先進製程研發事項的問題,中芯國際回答指出,目前旗下的 14 奈米 FinFET 製程雖已進入量產階段,但還處於初期的市場布局階段,因此市占率仍低。而下一代的 FinFET 製程,目前已進入客戶導入階段,與第一代相比有望在性能上提高約 20%,功耗降低約 60%。

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