隨台積電提高資本支出腳步,三星 2021 年半導體投資近 300 億美元

作者 | 發布日期 2021 年 01 月 28 日 15:00 | 分類 Samsung , 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


隨著半導體市場需求的成長,晶圓代工龍頭台積電宣布 2021 年將提高資本支出到 250 億美元至 280 億美元之後,競爭對手南韓三星也不遑多讓,預計 2021 年針對半導體事業的資本支出較 2020 年增加 20%,金額達 35 兆韓圜(約 296 億美元),將分別投資於記憶體與晶圓代工等相關事業。

根據南韓媒體《ETnews》報導,三星即將於 2021 年開始規模達 35 兆韓圜的投資計畫,包括投資中國西安及南韓平澤等地生產線,投資項目不僅 DRAM 與 NAND Flash 等記憶體項目,還將包括晶圓代工業務的部分。除此之外,三星方面也會積極投資相關供應鏈發展,如相關的半導體材料、零組件,或者是設備的相關公司。

報導強調,三星的 35 兆韓圜投資計畫,其中 24 兆韓圜將用於記憶體事業,另外的 11 兆韓圜則將用於晶圓代工業務。而這些項目將集中在中國西安及南韓平澤的第 2 工廠,且目前已經開始積極準備。例如,三星日前已經對南韓境內半導體設備商分別下訂 1,170 億及 276 億韓圜金額的設備,這些設備預計將在 2021 年 6 到 7 月份交貨,屆時將安裝在中國西安的第 2 工廠中,用以生產 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND。另外,針對新一代 DDR5 記憶體生產,三星日前也已經下訂 345 億韓圜的檢測設備。

南韓市場人士表示,因為 DRAM 與 NAND Flash 等記憶體項目是三星主要的營收來源,期望藉由增加投資讓中國西安及南韓平澤第2工廠的空間能獲的充分的運用,以達到擴產增加營收的目標。市場人士表示,三星預計把兩個地區第 2 工廠的空間填滿,這將使的中國西安增加月產能達 5.5 萬片,而南韓平澤則將每月增加 DRAM 3 萬到 6 萬片的產能,NAND Flash 每月增加 1.8 萬到 3 萬片的產能。

報導進一步指出,目前三星的投資計畫可能因為市場的狀況而有所變化。不過,因為武漢肺炎疫情的影響,使得智慧型手機與汽車電子在當前快速復甦而造成市場需求大增,三星積極增加投資將是必然的趨勢,藉以應付未來市場成長時的需求。不過,針對先前媒體報導,三星預計斥資 100 億美元在美國德州奧斯汀興建晶圓廠一事,目前的進展可能趕不上當前市場的需求。原因在於即使目前已經加快相關興建的計劃腳步,但當前仍處在基礎設施規劃的狀態。因此,要整體完成晶圓廠的興建還需要 2~3 年的時間,使得短期間內無法對三星的營運有所挹注。

(首圖來源:Flickr/DennisM2 CC BY 2.0)