南韓三星近期積極將極紫外（EUV）曝光技術應用於採用 1z 奈米製程的 DRAM 記憶體生產，並完成量產。據半導體分析機構《TechInsights》拆解分別採用 EUV 技術和 ArF-i 技術的三星 1z 奈米製程 DRAM 後，發現 EUV 技術除了提升三星生產效率，還縮小 DRAM 的節點設計尺寸，另外還比較三星與美光 1z 奈米製程 DRAM，採用 EUV 技術的三星 DRAM 核心尺寸（Cell Size）同樣較小。
科技新報粉絲團
加入好友
訂閱免費電子報
分析機構曝光三星開發 1z 奈米 EUV 製程 DRAM 規格祕辛 |
作者
Atkinson |
發布日期
2021 年 02 月 20 日 15:20 |
分類
Samsung
, 會員專區
, 材料、設備
|
南韓三星近期積極將極紫外（EUV）曝光技術應用於採用 1z 奈米製程的 DRAM 記憶體生產，並完成量產。據半導體分析機構《TechInsights》拆解分別採用 EUV 技術和 ArF-i 技術的三星 1z 奈米製程 DRAM 後，發現 EUV 技術除了提升三星生產效率，還縮小 DRAM 的節點設計尺寸，另外還比較三星與美光 1z 奈米製程 DRAM，採用 EUV 技術的三星 DRAM 核心尺寸（Cell Size）同樣較小。
