據中國媒體報導指出，中國 DRAM 製造大廠合肥長鑫正計畫進行人民幣百億等級融資，預計資金將用於發展 DRAM 先進製程，除了追趕全球領先的國際性供應商，還將用於擴產。
報導指出，合肥長鑫存儲技術有限公司於 2016 年成立，從事 DRM 記憶體顆粒設計、研發、生產和銷售，目前已建成一座 12 吋晶圓廠並投產。生產的 DDR4 記憶體顆粒被威剛、江波龍等廠商採用，在中國市場銷售。
根據合肥長鑫存儲資料顯示，目前 DRAM 記憶體顆粒通過包括英特爾與 AMD 主流或最新平台的單通道、雙通道壓力與相容測試，且 DRAM 記憶體還具超頻潛力。目前 DDR4、LPDDR4X 記憶體顆粒採用 19奈米（1x 奈米）製程技術打造，最高頻率 3,200MHz，2020 年起開始大規模對外供貨。
雖然，目前合肥長鑫存儲所生產的 DRAM 記憶體相較於全球 3 大供應商（三星、SK 海力士、美光）來說，市佔率仍非常小，並僅限定在中國市場銷售，且生產技術也落後 2 代以上，對市場影響小。不過，在中國積極發展半導體產業，DRAM 又是重要一環的情況下，積極引進資金發展已成為合肥長鑫存儲重點發展趨勢。
報導指出，融資計畫並非合肥長鑫存儲首次引資。不久前，合肥長鑫存儲的子公司睿力積體電路有限公司就在 2020 年 12 月 14 日實施一輪策略投資，引入安徽國資、兆易創新、小米長江產業基金等資金，當時取得總金額高達人民幣 156.5 億元資金。未來取得相關資金後，合肥長鑫存儲規劃 2021 年完成 17 奈米技術（1y 奈米）技術研發，並加速向 DDR5 產品研發邁進。
（首圖來源：官網）
